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(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部 | 論文
- 重水を用いた原子層成長技術によるHigh-kゲート絶縁膜への重水素添加
- polySi/HfAlOx/SiONゲートスタックの経時絶縁破壊(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- XPS時間依存測定法によるHfAlOx薄膜中の電荷捕獲現象の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 光電子分光分析によるHfAlOx/Si(100)系スタック構造における界面反応評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- HfAlO_x/下地膜界面反応抑制の検討
- High-k/メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 0.35μm CMOSトランジスタのホットキャリア解析 : 論理回路におけるホットキャリア効果の検証
- High-k/ メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性