井上 博文 | NEC生産技術研究所
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概要
関連著者
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井上 博文
NEC生産技術研究所
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井上 博文
日本電気株式会社生産技術研究所
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井上 博文
Necシステム実装研究所
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堺 淳
日本電気株式会社
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井上 博文
日本電気株式会社
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井上 博文
Nec
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本城 和彦
電気通信大学
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堺 淳
日本電気株式会社生産技術研究所
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古谷 充
日本電気株式会社生産技術研究所
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古谷 充
日本電気株式会社機能材料研究所
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井上 博文
日本電気(株)実装技術開発本部
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松永 幸治
日本電気(株)実装技術開発本部
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田浦 徹
日本電気(株)実装技術開発本部
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下戸 直典
日本電気株式会社実装研究所
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田浦 徹
日本電気株式会社システム実装研究所
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中瀬 康一郎
日本電気株式会社システム実装研究所
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中瀬 康一郎
NECグリーンプラットフォーム研究所
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石川 亮
電気通信大学
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大島 大輔
日本電気株式会社生産技術研究所
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早川 聡
アンリツ(株)計測器事業部
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田浦 徹
日本電気株式会社
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中瀬 康一郎
日本電気株式会社
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本多 広一
NECエレクトロニクス株式会社
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松永 幸治
日本電気株式会社 生産技術開発本部
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井上 博文
NEC実装研究所
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大島 大輔
NEC生産技術研究所
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古谷 充
NEC生産技術研究所
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堺 淳
NEC生産技術研究所
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今井 規夫
電気通信大学・先端ワイヤレスコミュニケーション研究センター
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下戸 直典
日本電気株式会社生産技術研究所
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馬場 和宏
日本電気株式会社生産技術研究所
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松井 孝二
日本電気株式会社生産技術研究所
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早川 聡
アンリツ株式会社 計測器事業部
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鈴木 文和
アンリツ株式会社 計測器事業部
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井上 博文
日本電気(株)
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馬場 和宏
日本電気株式会社実装研究所
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松井 孝二
日本電気株式会社機能材料研究所
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本城 和彦
電気通信大学先端ワイヤレスコミュニケーション研究センター
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本城 和彦
(株)ワイケーシー
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菊池 克
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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方 慶一郎
Necエレクトロニクス株式会社
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小畑 克史
多摩電気工業(株)電子部品事業部
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反町 彰宏
多摩電気工業(株)電子部品事業部
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神谷 正
アンリツ株式会社 計測器事業部
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山岸 祐一
アンリツ株式会社
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中瀬 康一郎
NEC機能材料研究所
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堺 淳
NEC機能材料研究所
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古谷 充
NEC機能材料研究所
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井上 博文
NEC機能材料研究所
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冥加 修
日本電気株式会社機能材料研究所
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岡田 芳嗣
日本電気株式会社機能材料研究所
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谷岡 道修
生産技術研究所
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金井 達雄
光ネットワークス・デバイス事業部
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二階堂 正彦
日本電気株式会社生産技術開発本部
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菊池 克
日本電気株式会社生産技術研究所
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大島 大輔
日本電気株式会社システム実装研究所
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冥加 修
日本電気株式会社システム実装研究所
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大島 大輔
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
著作論文
- 最適要素抽出法による高速・高密度半導体パッケージモデリング(パッケージの電気解析・CAD技術,次世代電子機器における先端実装技術と電磁波ノイズ低減技術論文)
- C-2-94 OSE法を用いた不連続部を有する高速・高密度半導体パッケージの簡易等価回路モデリング(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-92 チップ・パッケージ・ボード統合設計におけるOSE法の提案(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- ものづくりセッション(6)(第23回エレクトロニクス実装学会講演大会セッションサマリー)
- ものづくりセッション(8)(第23回エレクトロニクス実装学会講演大会セッションサマリー)
- 電磁特性技術(2)(講演セッション,第23回エレクトロニクス実装学会講演大会セッションサマリー)
- 最近の電磁特性技術におけるトピックス(エレクトロニクス実装技術の現状と展望)
- 若手研究者・技術者の学会参加促進について
- 最近の電磁特性技術におけるトピックス(エレクトロニクス実装技術の現状と展望)
- 超高速高周波エレクトロニクス実装研究会の活動紹介(次世代のエレクトロニクス実装に向けた研究会活動の現状と今後)
- FCBGAパッケージ基板の電気特性 : MLTSと従来ビルドアップ基板の比較(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト技術)
- FCBGAパッケージ基板の電気特性 : MLTSと従来ビルドアップ基板の比較(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト技術)
- 超薄型高密度基板を用いた高性能FCBGA(SiP要素技術と先端LSIパッケージ)(最近の半導体パッケージと高速伝送・高周波実装技術論文特集)
- マイクロストリップライン構造デバイス用プローブによる高周波抵抗器の測定
- C-2-46 K帯マイクロストリップライン構造デバイス用高周波信号測定フィクスチャ
- マイクロストリップライン構造デバイス用高周波プローブ
- C-2-50 コアレス基板を用いたFC-BGAパッケージの電磁界解析(C-2.マイクロ波B(受動デバイス))
- コアレス基板MLTSの電源-GND特性評価
- 高速LSIパッケージ用薄型微細配線基板技術MLTS
- C-2-66 伝送路の接続構造における周波数特性改善の検討
- 超高密度薄型基板(MLTS)の電気特性評価
- 近接部品配置とその高周波特性について
- 大規模LSI実装基板検査の経済性評価(実装検査評価技術,高性能電子機器を支える次世代高密度実装技術と実装材料技術論文)
- C-2-95 OSE法における高密度配線基板内のビア・線路間容量が伝送特性へ与える影響(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-93 高密度実装におけるOSE法簡易高精度モデリングおよびその応用(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-3-120 キャリア/コンタクトシートを用いたベアチップ計測による光/電気モジュール実装技術の検討
- C-2-46 マイクロストリップライン構造デバイス用プローブによるK帯サーキュレータの測定
- 高速信号伝送と電磁気学(EMC基礎講座 第19回)
- 高速・高周波化の動向と材料への要求(高速・高周波化動向と材料)
- 線路間結合を考慮した多ポートSパラメータを持った拡張OSE法によるプリント配線板の高周波特性解析
- 評価規格化検討委員会の発足と活動状況
- 高速・高周波化の動向と材料への要求(高速・高周波化動向と材料)