SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析 (シリコン材料・デバイス)

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概要

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• 2012-02-07

著者

• 葛西 誠也

  北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ

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