ファインセラミックス

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 硫酸協会の論文

著者

• 篠崎 和夫

  東工大院工

関連論文

• 超音波噴霧ICPフラッシュ蒸着法による異種組成ジルコニア薄膜の積層化
• Y_2O_3-Ta_2O_5混合ドープZrO_2ゲート絶縁膜界面の高分解能観察
• 溶液気化化学気相堆積法(LSMCVD)によるPbTiO_3薄膜の作製
• 高分解能分析電子顕微鏡による二酸化セリウム/イットリア安定化ジルコニア/シリコンヘテロ界面構造の原子スケール構造評価(原子をみる)
• バッファーレイヤの導入によるセラミックス機能性薄膜の実現 (特集/最近のセラミックス薄膜)
• YSZシード層によるSi(001)基板上へのCeO_2薄膜のエピタキシャル成長
• 基板サイズが(Bi, La)_4Ti_3O_薄膜の結晶方位と電気特性に及ぼす影響
• バッファーレイヤーのセラミック薄膜への適用
• 機能性薄膜におけるバッファーレイヤの役割 (特集 セラミックスインテグレーション)
• S0405-1-4 収差補正電子顕微鏡によるセラミック薄膜の界面構造解析(セラミックス/セラミックス基礎合材料I)
• 1D17 強誘電体 (Pb(Zr, Ti)O_3)/強磁性体積層薄膜における強誘電性、強磁性同時発現に向けた強磁性体およびバッファー層の最適化
• PLD法により作製したNi-Znフェライト薄膜の磁気特性に及ぼす組成,結晶性の影響(セラミックスインテグレーション)
• 収差補正TEMによるZrO_2超薄膜における構造遷移層の解明
• PLD法によるSiO_2/Si(001)基板上エピタキシャルYSZ薄膜の室温合成(セラミックスインテグレーション)
• Si(001)基板上へ成膜したイットリア安定化ジルコニア(YSZ)薄膜の初期のエピタキシャル成長過程へのSiO_2層厚さの影響
• パルスレーザー蒸着法によるSi(001)上へのYSZ薄膜のヘテロエピタキシャル成長に及ぼす酸素分圧とレーザーエネルギー密度の影響
• ファインセラミックス
• 鉛系正方晶ペロブスカイト構造強誘電体薄膜のc軸配向度決定機構の解明 (特集 私の自慢の研究)
• エピタキシャルチタン酸鉛薄膜の誘電特性に及ぼす外的応力印加により生じる残留応力の影響
• 非対称X線回折によるエピタキシャル薄膜の残留応力の評価手法
• 強誘電性・強磁性マルチフェロイック物質の現象と展望 (特集 エレクトロニクセラミックス薄膜)
• Si(001)基板上に作製したエピタキシャル成長ニッケル亜鉛フェライト薄膜の結晶構造と磁気特性におよぼすバッファー層の効果
• AlN焼結体中の不純物酸素と熱伝導率 (セラミックスと酸素)
• MOCVD法により合成したバリスター特性を有するNb,Bi同時添加SrTiO_3薄膜の成長挙動(セラミックスインテグレーション)
• 減圧熱プラズマ成膜法によるチタン酸鉛PbTiO_3薄膜の合成に及ぼす成膜圧力の影響
• 半導性SrTiO_3単結晶接合界面の微構造と酸化還元処理によるI-V特性の変化
• 3 mol%Y_2O_3-ZrO_2の強弾性ドメインスイッチングに及ぼす相分離の影響
• シード層の導入によるPZT,PT薄膜の結晶性/配向性の制御(セラミックスインテグレーション)
• YSZ/SiO_x/(001)Si薄膜のエピタキシャル成長における極薄SiO_x層の役割(セラミックスインテグレーション)
• PZT薄膜の90°ドメイン構造のTEM観察と強誘電特性
• さまざまな下部電極を導入したPZT薄膜の残留応力と誘電特性の変化(セラミックスインテグレーション)
• パルスレーザー蒸着法によるSr_Ba_Nb_2O_6薄膜の成膜ガス雰囲気と膜厚が配向性と表面形状に及ぼす影響(セラミックスインテグレーション)
• SrTiO_3シードバッファー層の導入によるPb(Zr,Ti)O_3(PZT)薄膜の結晶成長(セラミックスインテグレーション)
• 低酸素圧下で合成したエピタキシャルLa__Sr__CoO_3(LSCO)薄膜の電気特性(セラミックスインテグレーション)
• Pb_5Nb_O_セラミックスへのLa置換による相転移と焼結挙動
• セラミックス系機能材料の開発動向と応用展開 (特集 機能性材料の開発・応用動向)
• タングステンブロンズ型(Pb_La_)_5Nb_O_(X=0.0〜0.50)新化合物のMPB現象
• タングステンブロンズ型(1-X)Ba_Y_Nb_<10>O_-X Ba_Sm_Nb_O_固溶体の結晶構造と強誘電特性
• 解説 窒化アルミニウム焼結体の粒界相制御 (窒化アルミニウム粉末合成と焼結体の高性能化)
• 化学溶液法による(Bi、La)_4Ti_3O_/Pb(Zr,Ti)O_3複合薄膜の電気的特性の比較(セラミックスインテグレーション)
• Pb(Mg_Nb_)O_3/BaTiO_3/Pt/Ti/SiO_2/Si多層薄膜の構造,誘電特性に対する残留応力の影響(セラミックスインテグレーション)
• MOCVD法によるPbTiO_3薄膜の成長様式と成膜速度が配向性に及ぼす影響
• AlNセラミックスにおける液相生成と焼結機構 (特集 機能性窒化物セラミックスとその応用)
• なぜダイヤやAINは電気絶縁体なのによく熱を伝えるのか?
• Ba-M-Cu-O-CO_2 系 (M:Mg, Ca, Sr) 新化合物の合成と CO_2 分圧の影響
• セラミックプロセッシングの設計 (セラミックスと知的材料設計)
• AlNの焼結--ち密化,粒成長,粒界相の形成と排出 (窒化アルミニウム(AlN))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク