Selective Growth Conditions of ZnSe/ZnS Heterostructures on (001) GaAs with Metalorganic Molecular Beam Epitaxy
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概要
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Selective growth of ZnSe and ZnS on (001) GaAs substrates partially covered with SiOx was examined by metalorganic molecular-beam epitaxy. The growth temperature was the key factor for the selective growth, and the minimum growth temperature of ZnS to achieve selective growth was 450°C. On the other hand, the minimum growth temperature of ZnSe was 500°C. This difference of temperature for the selective growth made it difficult to grow high-quality ZnSe/ZnS heterostructures. To overcome this problem, we used periodic supply epitaxy to lower the selective growth temperature of ZnSe. Supply interruption after short time supply of ZnSe enhances the desorption of precursors especially on SiOx surfaces and this suppresses the nucleation of ZnSe on SiOx surfaces. The lower VI/II ratio also suppresses nucleation of ZnSe on SiOx. The selective growth of ZnSe was thus achieved at 430°C with a VI/II ratio of 1. The minimum selective growth temperature reported on ZnSe up to now is 600°C, and this work demonstrated the selective growth of ZnSe at a considerably lower temperature. We have prepared a ZnSe/ZnS single quantum well (SQW) at 450°C under the selective growth condition and the bright band edge emission from the ZnSe well was observed by photoluminescence measurement at 13 K.
- INSTITUTE OF PURE AND APPLIED PHYSICSの論文
- 1997-08-15
著者
-
MACHIDA Hideaki
Trichemical Laboratory Inc.
-
Avramescu Adrian
Research Institute For Electronic Science Hokkaido University
-
Ueta Akio
Research Institute For Electronic Science Hokkaido University
-
Numai Takahiro
Research Institute For Electronic Science Hokkaido University
-
Arita Munetaka
Research Center For Advanced Science And Technology University Of Tokyo
-
Uesugi Katsuhiro
Research Institute For Electronic Science Hokkaido University
-
SHIMOYAMA Norio
Trichemical Laboratory
-
Suemune Ikuo
Reseach Institute for Electronic Science, Hokkaido University, Sapporo 001-0021, Japan
-
Numai Takahiro
Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University, Kita-12, Nishi-6, Kita-ku, Sapporo 060, Japan
-
Machida Hideaki
Trichemical Laboratory, Uenohara 8154-217, Kitatsuru-gun, Yamanashi 409-01, Japan
-
Avramescu Adrian
Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University, Kita-12, Nishi-6, Kita-ku, Sapporo 060, Japan
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