Initial Growth Processes of ZnSe on Cleaned GaAs(001) Surfaces by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1996-08-01
著者
-
鈴木 久男
静岡大学工学部物質工学科
-
SUEMUNE Ikuo
Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University
-
Kumano H
Research Institute For Electronic Science Hokkaido University
-
OBINATA Toshio
Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University
-
UESUGI Katsuhiro
Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University
-
Suzuki Hideki
Research Institute For Electronic Science Hokkaido University
-
鈴木 久男
静岡大 創造科学技術大学院
-
Katsuhiro Uesugi
Research Institute For Electronic Science Hokkaido University
-
NASHIKI Hiroyuki
Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University
-
KUMANO Hidekazu
Department of Physics, Hokkaido University
-
Suemune I
Hiroshima Univ. Higashihiroshima
-
Suemune Ikuo
Research Institute For Electronic Science Hokkaido University
-
Nashiki Hiroyuki
Research Institute For Electronic Science Hokkaido University
-
Uesugi K
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
Uesugi Katsuhiro
Research Institute For Electronic Science Hokkaido University
-
Suemune Ikuo
Reseach Institute for Electronic Science, Hokkaido University, Sapporo 001-0021, Japan
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