P-Type Doping Limits in ZnMgSSe and ZnSSe Compound Semicomductors
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1997-01-15
著者
-
平野 克己
High Energy Accelerator Res.organization Ibaraki Jpn
-
Sato G
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
Sato Go
Research Institute For Electronic Science Hokkaido University
-
Sato Go
Department Of Biochemistry Hoshi University School Of Pharmacy And Pharmaceutical Sciences
-
HIRANO Kenkichi
Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University
-
SUEMUNE Ikuo
Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University
-
Suemune I
Hiroshima Univ. Higashihiroshima
-
Suemune Ikuo
Research Institute For Electronic Science Hokkaido University
-
SATO Go
Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University
-
Suemune Ikuo
Reseach Institute for Electronic Science, Hokkaido University, Sapporo 001-0021, Japan
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