CVD法によるサファイア基板上へのBi<SUB>4</SUB>Ti<SUB>3</SUB>O<SUB>12</SUB>エピタキシャル膜の合成
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概要
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Bismuth titanate (Bi<SUB>4</SUB>Ti<SUB>3</SUB>O<SUB>12</SUB>) thin films were prepared above 700°C on sapphire (1120) substrates by chemical vapor deposition using tri-phenyl-bismuth[Bi(C<SUB>6</SUB>H<SUB>5</SUB>)<SUB>3</SUB>] or tri-ortho-tolyl-bismuth [Bi(o-Tol)<SUB>3</SUB>] as Bi sources and titanium-tetra-isopropoxide [Ti(i-C<SUB>3</SUB>H<SUB>7</SUB>O)<SUB>4</SUB>] or di-isopropoxy-bis-(dipivaloyl metanato)-titanium [Ti(i-C<SUB>3</SUB>H<SUB>7</SUB>O)<SUB>2</SUB>(DPM)<SUB>2</SUB>] as Ti sources. The Bi<SUB>4</SUB>Ti<SUB>3</SUB>O<SUB>12</SUB> films showed preferred orientation of (001) parallel to (1120) of sapphire substrate. The epitaxial relationship between sapphire ‹0001› and Bi<SUB>4</SUB>Ti<SUB>3</SUB>O<SUB>12</SUB>‹100› was observed for the Bi<SUB>4</SUB>Ti<SUB>3</SUB>O<SUB>12</SUB> films prepared at 850°C.
- 社団法人 粉体粉末冶金協会の論文
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