紫外発光(Zn_<1-x>Mg_x)Al_2O_4蛍光体の合成と電子線励起発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
紫外発光(Zn_<1-x>Mg_x)Al_2O_4蛍光体の合成と電子線励起発光特性について研究を行った.PLEスペクトルの結果から,Mg比Xの増加に伴って,(Zn_<1-x>Mg_x)Al_2O_4の吸収端は高エネルギー側ヘシフトした.このことから,Mgをドープすることで(Zn_<1-x>Mg_x)Al_2O_4のエネルギーギャップが広がったと考えられる.さらに,CLスペクトルの結果から,焼成温度の上昇によって,230nmの主ピークのほかに,新たに280nmのピークが現れた.また,280nmのピークは加速電圧が高いほど弱くなることが明らかとなった.このことから,もう一つの新たな準位が試料の表面近傍に形成されたと考えられる.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2014-01-17
著者
関連論文
- 固相法で作製したZnAl_2O_4:Mn緑色蛍光体における発光特性の還元温度依存性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- この40年のディスプレイ技術の変遷と将来展望について(電子ディスプレイ,エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌500号記念論文)
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- クエン酸ゲル法を用いて合成した近紫外線励起用赤色蛍光体La_2O_2S:Euの発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ技術の進展)
- AS-3-6 広色域実現を目指した蛍光体の研究(AS-3.イメージメディアクオリティの基盤技術,シンポジウムセッション)
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Eu合成における粒径制御(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 六方晶BN粉末の紫外発光に対する熱処理の効果(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 加圧焼成によるZnCdO粒子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 化学気相法によるGaN系ナノ構造埋め込み型粒子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Eu合成における粒径制御(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 固相法で作製したZnAl_2O_4:Mn緑色蛍光体における発光特性の還元温度依存性(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 二元電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜のレーザアニール過程の解析(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 六方晶BN粉末の紫外発光に対する熱処理の効果(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 加圧焼成によるZnCdO粒子の作製(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 化学気相法によるGaN系ナノ構造埋め込み型粒子の作製(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- ZnO-Al_2O_3:Mn蛍光体の電子線励起発光特性(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 液体状態のホール効果測定と磁界による不要信号
- 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製
- 有機薄膜EL素子の発光特性のITO表面処理依存性(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 有機薄膜EL素子の発光特性のITO表面処理依存性
- 緑色発光SrGa_2S_4:Eu薄膜の発光特性
- EID2000-11 緑色発光SrGa_2S_4:Eu薄膜の発光特性
- 多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜の低速電子線励起発光特性
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性
- SrS:Ce薄膜EL素子のアルカリ金属添加によるSr欠陥の補償効果(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- SrS:Ce薄膜EL素子のアルカリ金属添加によるSr欠陥の補償効果
- 均質沈殿法によって合成したY_2O_3:Eu赤色蛍光体のモフォロジー及び発光特性に対する焼結の効果
- 燃焼法による蛍光体の合成
- Y_2O_2S : Eu^赤色微粒子蛍光体の合成
- エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Si基板上ZnS薄膜の酸化によるエピタキシャルZnO薄膜の形成と励起子発光
- Si基板上ZnOエピタキシャル薄膜の形成と励起子発光特性
- Si基板上にZnSバッファ層を用いてエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
- フレッシュパーソン12-8 Si基板上にエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
- 真空蒸着法によるZnO薄膜の作製
- 18-2 電子ビーム蒸着法により作製したZnO薄膜の発光特性
- 電子ビーム蒸着法で作製したZnO薄膜の発光特性
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
- SrS:Ce薄膜EL素子のアルカリ金属添加によるSr欠陥の補償効果
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程
- エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
- エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
- Si基板上にZnSバッファ層を用いてエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
- 真空蒸着法によるZnO薄膜の作製
- 電子ビーム蒸着法で作製したZnO薄膜の発光特性
- SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果
- SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 二元電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4薄膜蛍光体の発光特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 二源電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜の低速電子線励起発光特性
- 二源電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4 : Eu薄膜の低速電子線励起発光特性
- 二源電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜の低速電子線励起発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 22-1 a-SiC : H/a-Si : Hヘテロ接合を用いた光電流増倍型フォトセンサーと新しいスイッチング素子
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Euの合成と発光特性(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 加圧焼成によるZnCdO粒子の作製
- ゾル-ゲル法によるZnMgO/ZnO構造粒子の作製と発光特性の評価(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 青色発光CaS:Cu,F薄膜の発光特性
- 18-3 CaS : Cu, F薄膜の構造及び発光特性
- 青色発光CaS : Cu, F薄膜の熱処理と発光特性
- 青色発光CaS:Cu, F薄膜の熱処理と発光特性
- 4-3 多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4 : Ce薄膜の構造及び発光特性
- 多元蒸着法による青色発光SrGa_2S_4 : Ce薄膜の作製
- 多元蒸着により作製したSrSe:Ce薄膜の構造及び発光特性 : 発光型ディスプレイ関連 : 情報ディスプレイ
- 燃焼法による蛍光体の合成
- 水素ラジカル励起MOCVD法による Si 上への ZnSe の成長
- Zn添加酸化物蛍光体の作製と低速電子線励起発光特性
- Sr/S組成の制御によるSrS:Ce薄膜EL素子の高発光効率化
- 共振器構造を用いた蛍光体の発光特性 : レーザ蛍光体の実現を目指して
- 共振器構造を用いた蛍光体の発光特性 : レーザ蛍光体の実現を目指して(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 中速電子線励起における導電性被覆蛍光体の寿命特性
- 低電圧駆動ディスプレイ用微粒子蛍光体の合成
- 中速電子線励起における導電性被覆蛍光体の寿命特性
- SrTiO_3:Pr, Al赤色蛍光体のCL特性に対するAl添加効果
- SrTiO_3:Pr, Al赤色蛍光体のCL特性に対するAl添加効果
- ゾル-ゲル法により導電処理した蛍光体の低速電子線励起発光特性
- 赤色発光SrTiO_3:PrAl蛍光体におけるAl添加効果
- ゾルーゲル法により導電処理した蛍光体の低速電子線励起発光
- 固相法で作製したZnAl_2O_4:Mn緑色蛍光体における発光特性の還元温度依存性
- フィールドエミッションランプ用緑色蛍光体の開発(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 高品質照明を実現する新型真空平面ランプの開発(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製
- 電子線励起紫外発光ZnAl2O4蛍光体の焼成条件依存性 (電子ディスプレイ)
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Eu合成における粒径制御
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Euの合成と発光特性
- アルキルシラン単一原料を用いた原子状水素励起化学気相堆積
- 希土類付活SrGa_2S_4蛍光体薄膜の発光特性
- 近紫外線励起用Eu添加赤色蛍光体の作製と評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)