[招待講演]耐タンパ暗号回路のLSI設計手法
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概要
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機密情報を守るための暗号回路実装においては,差分電力解析(DPA:Differential Power Analysis)等のサイドチャネル攻撃に対する耐性を考慮した耐タンパLSI設計を行わなければならない.本稿では, DPAの原理と過去提案されている対策手法と,その問題点を紹介する.さらに,我々が提案する,どのような入/出力値に対しても均一な消費電力となる,「2線式RSLメモリ」を用いた耐タンパ暗号回路設計手法を紹介する.本方式は,暗号回路におけるSBox等の非線形演算回路に「2線式RSLメモリ」を使用し,その他の線形回路にはXOR演算を用いた加算マスクを用いて設計が可能なため,一般的なLSIのデザインフローに親和性が高く,暗号回路を含むシステムLSIに容易に搭載することが可能である,現在もっとも普及している共通鍵暗号回路であるAES暗号回路を,提案方式を用いて0.18μmCMOSプロセスで設計・試作し,消費電力を用いた攻撃に対して,高い耐タンパ性が得られたことを報告する.
- 2012-09-11
著者
-
藤野 毅
立命館大学理工学部
-
汐崎 充
立命館大学総合理工学研究機構
-
汐崎 充
立命館大学
-
藤野 毅
立命館大学
-
久保田 貴也
立命館大学大学院総合理工学研究機構
-
吉川 雅弥
名城大学理工学研究科
-
久保田 貴也
立命館大学総合理工学研究機構
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