Dual-Rail RSLメモリ方式を利用したサイドチャネル攻撃耐性を有するAES暗号回路(LSI・集積回路および実装技術,デザインガイア2012-VLSI設計の新しい大地-)
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概要
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安全な暗号回路の設計には電力解析攻撃等のサイドチャネル攻撃耐性を考慮する必要がある.我々は消費電力を入出力値に依存せず均一化することができ,なおかつ乱数マスクを掛けられた入出力で演算ができる"Dual-Rail RSLメモリ"を用いた電力解析攻撃対策技術を提案してきた.本方式を適用したAES暗号回路を0.18μmCMOSプロセスで設計・試作した結果,回路面積900,191μm^2・消費電力22.24nJとなり,他の対策回路と比較して小面積・低消費電力を実現した.また,電力解析攻撃に対する耐性評価を行った結果,100万波形の消費電力パターンを用いても秘密鍵の特定ができず,高い耐タンパ性が得られたことを報告する.
- 2012-11-20
著者
-
藤野 毅
立命館大学理工学部
-
汐崎 充
立命館大学
-
藤野 毅
立命館大学
-
橋本 祐樹
立命館大学大学院理工学研究科
-
久保田 貴也
立命館大学大学院総合理工学研究機構
-
汐崎 充
立命館大学大学院総合理工学研究機構
-
久保田 貴也
立命館大学総合理工学研究機構
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