AT-1-1 地上の中性子ソフトエラー研究の最新動向 : 評価から対策へ(AT-1.集積回路におけるソフトエラー-測定法,回路技術,EDA-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)

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概要

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半導体デバイスのデザインルール100nmを大きく超えた微細化は留まるところなく進行している。一方、地上における中性子に起因する半導体デバイスのソフトエラーはSRAMなどメモリで一層深刻になる見込みであるが、順序回路、組合せ論理回路などのソフトエラーも様々なモードが見出されつつあり、検出・計測の技術高度化に併行して、対策技術を設計時点で作りこむ必要性が増している。本稿では、デザィンルール22nm以降を見据え、適用可能な技術を概観する。
2010-08-31

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