最新半導体デバイスの環境中性子線エラー : デザインルール22nmへのインパクトと対策(EMC回路設計とシステムLSIの実装設計)
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概要
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メモリ、論理ゲートなど半導体デバイスの環境中性子線によるエラーのメカニズム、各種エラーモードの現状と22nmデザインルールまでの予測、電子システムへの影響と対策について概括する。
- 2009-11-25
著者
-
伊部 英史
日立製作所生産技術研究所
-
新保 健一
日立製作所生産技術研究所
-
谷口 斉
日立製作所生産技術研究所
-
鳥羽 忠信
日立製作所生産技術研究所
-
新保 健一
(株)日立製作所生産技術研究所
-
伊部 英史
日立 生産技研
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伊部 英史
日立製作所
-
谷口 斉
日立製作所
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鳥羽 忠信
日立製作所
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新保 健一
日立製作所
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