非接触LSIピン電流探査手法の開発
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概要
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LSIのピンを流れる高周波電流を計測するために,非接触で測定した近傍磁界分布から,電流分布を探査する手法を検討した。本稿では,測定した近傍磁界分布と仮定した電流による磁界分布パターンのマツチング具合から電流を探査する手法に基づき,さらにリードフレームのレイアウト・データによるフィルタリングと,探査した電流による磁界分布と測定した磁界分布の差が最小になるまで繰り返す手法を提案した。これにより,位置分解能を0.5mmまで向上させ,LSIのピン毎の電流を非接触で測定出来る見通しを得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-03-07
著者
-
上坂 晃一
株式会社日立製作所
-
新保 健一
日立製作所生産技術研究所
-
新保 健一
(株)日立製作所生産技術研究所
-
上板 晃一
日立製作所 生産技術研究所 回路実装設計研究室
-
上坂 晃一
株式会社日立製作所セキュリティ・トレーサビリティ事業部トレーサビリティソリューション本部開発部:千葉大学工学研究科人工システム科学専攻
-
上板 晃一
(株)目立製作所生産技術研究所
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新保 健一
(株)目立製作所生産技術研究所
-
須賀 卓
(株)目立製作所生産技術研究所
-
須賀 卓
株式会社日立製作所生産技術研究所
-
須賀 卓
株式会社日立製作所横浜研究所生産技術センタ
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