半導体デバイス微細化に伴う中性子起因のマルチセルアップセットの多様化(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機用システムLSI,回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))

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概要

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• 近年のCMOS SRAMのマルチセルアップセット(MCU)の微細化に伴う多様化をレビューした。130nm SRAMのシングルイベントアップセト(SEU)を時間・空間的に自動分類するアルゴリズムを開発し、TSLでの準単色エネルギー中性子照射試験での約2500件のMCUデータに適用した。試験の結果は、チェッカーボードと全て"1"(または全て"0")のデータパターンで顕著な相違を示した。デバイスのアーキテクチュアに固有の比率を持つ3種類のエラー伝播モードを抽出した。書き換えができるが、I_<dd>のステップ状の増加を伴う新しいマルチセルエラーモードを見出した。そのモードでは、全て"1"(または全て"0")の場合は中性子のエネルギーが高い場合、シングルビットエラーよりダブルビットエラーの頻度の方が高い結果が得られた。チェッカーボードの2ビットえラーの大多数はワードラインに沿った2ビット隣接エラーであった。4セルモデルを用いた3次元デバイスシミュレーションにより、新しいマルチセルアップセットモードが、シングルイベントスナップバックをトリガーとした寄生サイリスタメカニズムMCBI (Multi-coupled bipolar interaction)によるものであることを明らかにした。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-12-07

著者

• 山本 茂久

  ルネサステクノロジ北伊丹

• 伊部 英史

  日立製作所生産技術研究所

• 伊部 英史

  日立 生産技研

• 矢作 保夫

  日立製作所生産技術研究所1

• CHUNG Sung

  Cisco Systems, Inc

• WEN ShiJie

  Cisco Systems, Inc

• 山口 裕功

  日立製作所生産技術研究所1

• 亀山 英明

  ルネサステクノロジ武蔵

• 秋岡 隆志

  ルネサステクノロジ武蔵

• Wen Shijie

  Cisco Systems Inc

• Chung Sung

  Cisco Systems Inc

• Chung S.

  Cisco Systems, Inc.

• Wen S.

  Cisco Systems, Inc.

• 伊部 英史

  日立製作所

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