進むパラダイムシフト : 半導体デバイスの宇宙線中性子エラー
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概要
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半導体デバイスの微細化に伴い,宇宙線中性子エラーを軸として半導体デバイスの信頼性設計・評価の基盤が,ここ数年大きく揺れ動いている.中性子エラーのモードの弁別や,定量化に向けて,従来の枠を超えた試みが国内外で活発に進められ,その一部は国際標準として短期間に反映される状況がある.その動きはめまぐるしいといえるほど早い.本論文では,筆者らの研究成果と最新の情報を敷彷しながら,それを検証する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-07-01
著者
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伊部 英史
(株)日立製作所中央研究所
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伊部 英史
日立製作所生産技術研究所
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矢作 保夫
(株)日立製作所 生産技術研究所
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山口 裕功
(株)日立製作所 生産技術研究所
-
日高 光守
エルピーダメモリ(株)
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伊部 英史
日立 生産技研
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矢作 保夫
日立製作所生産技術研究所1
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山口 裕功
日立製作所生産技術研究所1
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亀山 英明
ルネサステクノロジ武蔵
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亀山 英明
(株)日立製作所生産技術研究所
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日高 光守
(株)日立製作所生産技術研究所
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