フォトニック結晶導波路のためのモードフィールド変換器の設計と評価(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般(OFC報告))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
波長分散補償用フォトニック結晶導波路と一体に形成して利用するモードフイールド変換器(モードフィールドコンバータ, MFC)について紹介する.フォトニック結晶導波路は,シリカ円柱が周期的に埋め込まれた薄膜シリコン層とその上部に位置する窒化シリコン矩形コアから構成される.本MFCはこれに接続するための導波路構造であり,素子先端に向かって幅の細くなるテーパ形状の薄膜シリコン層とそれに続くテーパ形状の窒化シリコン導波路という,二つのテーパ形状導波路を有し,シングルモード光ファイバに対して有効に機能する.このMFCの特性について,測定結果及びシミュレーション結果に基づいて説明する.
- 2010-05-14
著者
-
佐久間 健
株式会社フジクラ
-
佐久間 健
富士通LSIソリューション株式会社
-
佐久間 健
株式会社フジクラ光電子技術研究所
-
小川 憲介
株式会社フジクラ光電子技術研究所
-
五井 一宏
株式会社フジクラ光電子技術研究所
-
Yu Ming-Bin
Institute of Microelectronics
-
Kwong Dim-Lee
Institute of Microelectronics
-
五井 一宏
株式会社フジクラ
-
Tan Yong-Tsong
株式会社フジクラ光電子技術研究所
-
Lo Guo-Qiang
Institute of Microelectronics
-
Doan My-The
Institute of Microelectronics
-
小川 憲介
(株)フジクラ光電子技術研究所
-
五井 一宏
(株)フジクラ光電子技術研究所
-
Tan Yong-tsong
株式会社フジクラ
-
Mingbin Yu
Institute Of Microelectronics Singapore
-
Lo Guo-qiang
Institute Of Microelectronics Singapore
-
Kwong Dim-lee
Institute Of Microelectronics Singapore
-
佐久間 健
(株)フジクラ光電子技術研究所
-
小川 憲介
株式会社フジクラ
-
小川 憲介
株式会社フジクラ 光電子技術研究所
関連論文
- C-3-19 はんだ固定光ファイバアレイの偏心と応力
- Eu^付活ストロンチウム酸窒化アルミナケイ酸塩(サイアロン)の蛍光特性
- B-18-1 位相限定相関法を用いた指紋認証アルゴリズムのFPGA実装(B-18. バイオメトリクス・セキュリティ,一般セッション)
- 窒化物系蛍光体の開発 (特集 NIMSナノセラミックスセンター:多機能性イノベイティブセラミックスの創製)
- C-4-22 青色励起型高演色白色LEDランプ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 白色LED用新規窒化物蛍光体の開発
- 平面基板上のブラッググレーティング導波路の新たな設計方法 (光エレクトロニクス)
- サイアロン系新蛍光体とそれを用いた白色LEDの開発
- C-9-1 白色LEDの光学特性設計(C-9.電子ディスプレイ,エレクトロニクス2)
- 照明用白色LED
- サイアロン蛍光体を用いた白色LED
- フォトニック結晶導波路のためのモードフィールド変換器の設計と評価(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般(OFC報告))
- 平面基板上のブラッググレーティング導波路の新たな設計方法(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-3-119 新しい光減衰方法による VOA 複合化 2×2 高分子熱光学効果型光スイッチ
- C-3-13 ブラッググレーティングに適した偏波無依存型導波路の設計(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-81 シリコン・ナノフォトニックデバイス(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-30 フェムト秒レーザ加工による長周期ファイバグレーティング(FBG)(C-3.光エレクトロニクス)
- C-9-2 高効率電球色LEDの開発(C-9.電子ディスプレイ,エレクトロニクス2)
- C-9-1 α-サイアロン蛍光体を用いた高効率電球色LED(C-9. 電子ディスプレイ, エレクトロニクス2)
- Dopant Segregated Pt-Germanide Schottky S/D p-MOSFET with HfO_2/TaN gate on Strained Si-SiGe channel
- ブラッググレーティング導波路を用いたシリコンフォトニックデバイス
- マルチモード光ファイバ用光試験装置の検討
- SC-5-1 フェムト秒レーザによる導波路形成(SC-5.新技術・新材料の光デバイスへの応用)
- C-3-87 集光フェムト秒レーザ光によるシリカガラス内部への低損失光導波路の作製
- C-3-77 フェムト秒レーザによる純粋シリカガラス内部への三次元光導波路の作製
- C-3-68 フェムト秒レーザによる純粋シリカガラス内部への光導波路の作製
- フッ素化ポリイミド熱光学効果光スイッチ
- フッ素化ポリイミド熱光学効果型光スイッチ
- フッ素化ポリイミド熱光学効果型光スイッチ
- C-3-71 高分子熱光学効果型2×2光スイッチ
- C-3-66 ポリマー導波路Y分岐TOスイッチのヒータ分割制御
- ポリマー導波路熱光学効果型光スイッチの数値解析
- C-3-72 偏波波長合分波アレイ導波路格子
- Effectiveness of Aluminum Incorporation in Nickel Silicide and Nickel Germanide Metal Gates for Work Function Reduction
- Sub-30nm P-channel Schottky Source/Drain FinFETs : Integration of Pt_3Si FUSI Metal Gate and High-κ Dielectric
- Work Function Modulation Using Thin Interdiffused Metal Layers for Dual Metal-Gate Technology
- デンドライト成長条件を考慮した 18Cr-8Ni ステンレス鋼の急速凝固解析
- C-3-47 窒化シリコンブラッググレーティング導波路の多波長フィルタリング特性(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- Pulsed Laser Irradiation of Silicon-Germanium-on-Insulator (Si_Ge_OI) Substrates for Strain Relaxation and Defect Reduction
- Strained SiGe-On-Insulator N-MOSFET with Silicon Source/Drain for Drive Current Enhancement
- Double-Spacer Impact-ionization MOS Transistor : Characterization and Analysis
- C-3-48 消光比10dBを有する10G用MZ型シリコン光変調器(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- ECOC2011報告 : 導波路及びパッシブデバイス関連(招待講演,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- ECOC2011報告 : 導波路及びパッシブデバイス関連(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- ECOC2011報告 : 導波路及びパッシブデバイス関連(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 10Gbps高消光比MZ型シリコン光変調器 (光エレクトロニクス)
- C-3-58 シリコンMZ変調器による20Gbps二値位相変調(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-41 20-32Gbps低損失MZシリコン変調器(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- ECOC 2011報告 : 導波路及びパッシブデバイス関連
- 10Gbps高消光比MZ型シリコン光変調器(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS)、シリコンフォトニクス、光ファイバ、一般)
- Erbium silicided Schottky Source/Drain Silicon Nanowire N-Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors
- ポーリングしたシリカファイバの二次非線形光学効果による波長変換(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- ポーリングしたシリカファイバの二次非線形光学効果による波長変換(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- Pt–Germanide Formed by Laser Annealing and Its Application for Schottky Source/Drain Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor Integrated with TaN/Chemical Vapor Deposition HfO2/Ge Gate Stack
- Direct Current and Microwave Characteristics of Sub-micron AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on 8-Inch Si(111) Substrate
- Complementary Metal Oxide Semiconductor Compatible Hf-Based Resistive Random Access Memory with Ultralow Switching Current/Power
- ポーリングしたシリカファイバの二次非線形光学効果による波長変換
- 10Gbps高消光比MZ型シリコン光変調器
- Strained Silicon–Germanium-on-Insulator n-Channel Transistor with Silicon Source and Drain Regions for Performance Enhancement
- 高速シリコンマッハツェンダ光変調器の最新動向
- C-3-51 高次モード光分離によるシリコンマッハ-ツェンダー変調器のON/OFF光モニタリング(光変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-50 Si Mach-Zehnderプッシュプル変調器の20Gbps二値位相変調特性(光変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- Silicon Mach-Zehnder modulator using low-loss phase shifter with bottom PN junction formed by restricted-depth doping
- Characterization of Silicon Mach-Zehnder Modulator in 20-Gbps NRZ-BPSK Transmission
- シリコンマッハ-ツェンダ変調器による10Gb/s 80km光ファイバ伝送(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- シリコンマッハ-ツェンダ変調器による10Gb/s 80km光ファイバ伝送(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- シリコンマッハ-ツェンダ変調器による10Gb/s 80km光ファイバ伝送(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- モノリシック集積化GePDによるシリコンマッハ-ツェンダー型光変調器の光パフォーマンスモニタリング(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,一般)
- BCI-1-8 デジタルコヒーレント通信に向けた集積化シリコン光変調器の開発(BCI-1.ディジタルコヒーレント通信技術による光ネットワークの革新とそれを実現するデバイス技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-3-35 シリコン光変調器を用いた64Gb/s QPSK(C-3.光エレクトロニクス)
- BCI-1-8 デジタルコヒーレント通信に向けた集積化シリコン光変調器の開発(BCI-1.ディジタルコヒーレント通信技術による光ネットワークの革新とそれを実現するデバイス技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-3-12 部分リブ導波路を用いたシリコン偏波ローテータ(シリコンフォトニクス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-38 シリコンーMZ型光変調器向けモノリシックゲルマニウムフォトダイオード(C-3.光エレクトロニクス)