Work Function Modulation Using Thin Interdiffused Metal Layers for Dual Metal-Gate Technology

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2006-09-13

著者

• Kwong Dim-Lee

  Institute of Microelectronics

• Wang Xin-peng

  Dept. Of Electrical & Computer Engineering National University Of Singapore

• Yeo Yee-chia

  Dept. Of Electrical & Computer Engineering National University Of Singapore

• LIM Andy

  Dept. of Electrical & Computer Engineering, National University of Singapore

• HWANG Wan-Sik

  Dept. of Electrical & Computer Engineering, National University of Singapore

• Hwang Wan-sik

  Dept. Of Electrical & Computer Engineering National University Of Singapore

• Lim Andy

  Dept. Of Electrical & Computer Engineering National University Of Singapore

関連論文

• 平面基板上のブラッググレーティング導波路の新たな設計方法 (光エレクトロニクス)
• フォトニック結晶導波路のためのモードフィールド変換器の設計と評価(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般(OFC報告))
• 平面基板上のブラッググレーティング導波路の新たな設計方法(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
• C-3-13 ブラッググレーティングに適した偏波無依存型導波路の設計(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-81 シリコン・ナノフォトニックデバイス(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• Dopant Segregated Pt-Germanide Schottky S/D p-MOSFET with HfO_2/TaN gate on Strained Si-SiGe channel
• Effectiveness of Aluminum Incorporation in Nickel Silicide and Nickel Germanide Metal Gates for Work Function Reduction
• Work Function Modulation Using Thin Interdiffused Metal Layers for Dual Metal-Gate Technology
• C-3-48 消光比10dBを有する10G用MZ型シリコン光変調器(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-58 シリコンMZ変調器による20Gbps二値位相変調(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-41 20-32Gbps低損失MZシリコン変調器(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 10Gbps高消光比MZ型シリコン光変調器(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS)、シリコンフォトニクス、光ファイバ、一般)
• Pt–Germanide Formed by Laser Annealing and Its Application for Schottky Source/Drain Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor Integrated with TaN/Chemical Vapor Deposition HfO2/Ge Gate Stack
• Complementary Metal Oxide Semiconductor Compatible Hf-Based Resistive Random Access Memory with Ultralow Switching Current/Power
• 10Gbps高消光比MZ型シリコン光変調器
• Silicon Mach-Zehnder modulator using low-loss phase shifter with bottom PN junction formed by restricted-depth doping
• Characterization of Silicon Mach-Zehnder Modulator in 20-Gbps NRZ-BPSK Transmission
• シリコンマッハ-ツェンダ変調器による10Gb/s 80km光ファイバ伝送(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
• シリコンマッハ-ツェンダ変調器による10Gb/s 80km光ファイバ伝送(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
• シリコンマッハ-ツェンダ変調器による10Gb/s 80km光ファイバ伝送(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク