Pt–Germanide Formed by Laser Annealing and Its Application for Schottky Source/Drain Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor Integrated with TaN/Chemical Vapor Deposition HfO2/Ge Gate Stack
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概要
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The formation and characteristics of Pt–germanide formed by laser annealing are comprehensively studied. Excellent morphology and sharp interface with Ge are achieved by laser annealed Pt–germanide, along with extremely low hole barrier height of 0.08 eV, showing that Pt–germanide by laser annealing is a promising approach for high-performance conventional self-aligned metal–oxide–semiconductor field-effect transistor application. The feasibility of Pt–germanide Schottky Source/Drain transistor by laser annealing integrated with chemical vapor deposition HfO2/TaN gate stack is also demonstrated.
- 2008-04-25
著者
-
Kwong Dim-Lee
Institute of Microelectronics
-
Li Rui
Silicon Nano Device Lab Department Of Ece National University Of Singapore
-
Kwong Dim-Lee
Institute of Microelectronics, 11 Science Park Road, Singapore Science Park II, Singapore 117685
-
Lee Sung-Joo
Silicon Nano Device Laboratory, Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, 10 Kent Ridge Crescent, Singapore 117576
-
Hong Ming-Hui
Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, 10 Kent Ridge Crescent, Singapore 119260
-
Chi Dong-Zhi
Institute of Materials Research and Engineering, 3 Research Link, Singapore 117602
-
Li Rui
Silicon Nano Device Laboratory, Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, 10 Kent Ridge Crescent, Singapore 117576
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