シリコンマッハ-ツェンダ変調器による10Gb/s 80km光ファイバ伝送(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
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概要
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横型PN接合が形成されたシリコンリブ導波路を位相変調部とするシリコンマッハ-ツェンダ変調器をプッシュ-プル駆動させ,10Gb/s帯ビットレートでの伝送特性をアイパターンおよびビットエラーレート測定により評価した.単一モードファイバもしくは分散補償ファイバを用いて,単一モードファイバ換算で伝送距離80kmまでに相当する正・負おのおのの波長分散に対してパワーペナルティを求めた.パワーペナルティ2dBでの分散耐力は+/-900ps/nmである.商用ニオブ酸リチウム変調器とも比肩する結果であり,シリコン変調器が80km光ファイバ伝送に応用可能である.
- 2012-10-18
著者
-
小川 憲介
株式会社フジクラ光電子技術研究所
-
Kwong Dim-Lee
Institute of Microelectronics
-
五井 一宏
株式会社フジクラ
-
Lo Guo-Qiang
Institute of Microelectronics
-
五井 一宏
(株)フジクラ光電子技術研究所
-
寺田 佳弘
株式会社フジクラ
-
小川 憲介
株式会社フジクラ
-
LIOW Tsung-Yang
Institute of Microelectronics
-
日下 裕幸
株式会社フジクラ
-
小田 研二
株式会社フジクラ光電子技術研究所
-
Tu Xiaoguang
Institute Of Microelectronics
-
小川 憲介
株式会社フジクラ 光電子技術研究所
-
小田 研二
株式会社フジクラ
-
五井 一宏
株式会社 フジクラ
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