10Gbps高消光比MZ型シリコン光変調器(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS)、シリコンフォトニクス、光ファイバ、一般)
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概要
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Mach-Zehnder型シリコン光変調器の設計,及び作製したデバイスでの10Gbpsでの強度変調,差動位相偏移変調動作について報告する.位相変調部の最適化を行い,高速動作の妨げとなるRC結合を低減させたシリコン光変調器を作製した.変調信号のアイパターン測定を行い,10.3-12.5Gbpsで10dB以上の消光比を得た.また,プッシュプル駆動で強度変調及び二値位相偏移変調を行い,変調信号のコヒーレント受信により周波数チャープを抑えた変調が可能であることを確認した.
- 2011-12-09
著者
-
小川 憲介
株式会社フジクラ光電子技術研究所
-
五井 一宏
株式会社フジクラ光電子技術研究所
-
Kwong Dim-Lee
Institute of Microelectronics
-
五井 一宏
株式会社フジクラ
-
Lo Guo-Qiang
Institute of Microelectronics
-
五井 一宏
(株)フジクラ光電子技術研究所
-
Tan Yong-tsong
株式会社フジクラ
-
Lo Guo-qiang
Institute Of Microelectronics Singapore
-
Kwong Dim-lee
Institute Of Microelectronics Singapore
-
小川 憲介
株式会社フジクラ
-
LIOW Tsung-Yang
Institute of Microelectronics
-
Liow Tsung-yang
Institute Of Microelectronics A^*star
-
Fang Qing
Institute Of Microelectronics A^*star
-
Tu Xiaoguang
Institute Of Microelectronics A^*star
-
Fang Qing
Institute Of Microelectronics
-
Tu Xiaoguang
Institute Of Microelectronics
-
小川 憲介
株式会社フジクラ 光電子技術研究所
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