MTCMOS回路を利用したオンチップ・リークモニタの設計と評価(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
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概要
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先端プロセスでは温度やプロセスばらつきによってリーク電流は大きく変動する。設計時に個々のチップのリーク電流を正確に予測することは困難であり、チップ単体でのリーク電流測定機能が求められている。MTCMOS回路の仮想グランド線電圧は、回路のスリープ中リーク電流によって寄生容量を充電されて上昇するという性質を持つ。この性質を利用したリークモニタ回路をASPLA90nmプロセスにて設計し、シミュレーションによる解析を行った。シミュレーションの結果、プロセス条件Typicalコーナー、温度25℃、動作周波数200MHzで動作させた場合、モニタにかかった時間は165nsで、リーク電流に対する精度は6%であった。また消費電力は、モニタ状態で29μW、待機状態で15μWとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-02-28
著者
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