MTCMOS回路を利用したオンチップ・リークモニタによるランタイム・パワーゲーティング回路の損益分岐点予測(低電力設計と回路設計技術,システムオンシリコンを支える設計技術)
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概要
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待機時だけでなく動作時のリーク電力を低減するランタイム・パワーゲーティングにおいて、スリープの損益分岐点(BET)とBETに応じたスリープ制御は効果的な電力低減を実現する上で非常に重要である。BETはリーク電流量に依存するため、リーク電流をチップ上で測定しBETを予測することが求められている。MTCMOS 回路を利用したリークモニタ回路によってBETを予測する手法を提案した。本手法によって温度とプロセスばらつき下のBET変化率(BETR)は平均して誤差28%で予測できた。
- 2010-03-03
著者
-
天野 英晴
慶應義塾大学大学院理工学研究科
-
池淵 大輔
慶應義塾大学
-
宇佐美 公良
芝浦工業大学
-
天野 英晴
慶應義塾大学
-
宇佐美 公良
芝浦工業大学工学部
-
天野 英晴
慶應義塾大学理工学部
-
小山 慧
芝浦工業大学
-
橋田 達徳
芝浦工業大学
-
天野 英晴
慶應義塾大学 理工学部
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