Dependence of Time Dependent Dielectric Breakdown Characteristics on Mechanism for Silicon Epitaxial Growth on Misoriented Czochralski Silicon Crystal

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概要

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• The reliability of oxide films formed on the surface in a misoriented Si (100) epitaxial wafer was studied by time dependent dielectric breakdown (TDDB). The accidental failure of TDDB decreases with an increase in misorientation and a drastic change is found at misorientation of 0.08° or less. A model, consisting of island growth and lateral growth in the epitaxial growth, has been proposed to explain the observation. In this model, the dominant growth mechanism changes from the island growth to the lateral growth at critical misorientation 0.11°. The appearance of the island growth may give rise to a TDDB weak point and cause the accidental failure.

• 社団法人応用物理学会の論文
• 1995-06-15

著者

• Saito Yoshihiko

  Toshiba Corp. Semiconductor Materials Engineering Dept.

• Tsuchiya Norihiko

  Toshiba Corp. Semiconductor Materials Engineering Dept.

• Izunome K

  Toshiba Ceramics Co. Ltd. Tokyo Jpn

• Izunome Koji

  Toshiba Ceramics Co. R&d Center

• TAKEDA Ryuji

  Toshiba Ceramics Co., Ltd., Research and Development Center

• HAYASHI Kenro

  Toshiba Ceramics, R & D Center

• FUKUI Hiroyuki

  Toshiba Corp., Semiconductor Materials Engineering Dept.

• KUBOTA Hiroyasu

  Toshiba Corp., Semiconductor Materials Engineering Dept.

• Fukui Hiroyuki

  Toshiba Corp. Semiconductor Materials Engineering Dept.

• Takeda Ryuji

  Toshiba Ceramics Co. Ltd. Research And Development Center

• Hayashi Kenro

  Toshiba Ceramics R & D Center

• Takeda R

  Toshiba Ceramics Co. Ltd. Kanagawa Jpn

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