Mn添加(Al_2O_3-Ga_2O_3):Mn多元系酸化物薄膜EL素子
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概要
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ゾル-ゲル法及び高周波マグネトロンスパッタリング法により作製した(Al_2O_3-Ga_2O_3):Mn薄膜EL素子のEL特性について述べる。真空プロセスが不要な簡易な成膜方法であるゾル-ゲル法によりAl_2O_3添加量30mol.%で作製した(Al_2O_3-Ga_2O_3):Mn薄膜EL素子においては、1kHz正弦波交流電圧駆動時に最高発光輝度1557cd/m^2、また高周波マグネトロンスパッタリング法によりAl_2O_3添加量20mol.%で作製した(Al_2O_3-Ga_2O_3):Mn薄膜EL素子においては、1660cd/m^2を実現できた。また、いずれの成膜方法で作製した(Al_2O_3-Ga_2O_3):Mn薄膜EL素子においても1kHz正弦波交流電圧駆動時に0.41m/W以上の発光効率を実現できた。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2000-11-02
著者
-
鈴木 信吾
金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
-
中谷 敏邦
金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
-
白井 徹也
O.E.デバイスシステムR&Dセンター
-
中谷 敏邦
O.E.デバイスシステムR&Dセンター
-
鈴木 信吾
O.E.デバイスシステムR&Dセンター
-
宮田 俊弘
O.E.デバイスシステムR&Dセンター
-
南 内嗣
O.E.デバイスシステムR&Dセンター
-
南 内嗣
金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
宮田 俊弘
金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
白井 徹也
O.e. デバイスシステムr&dセンター、金沢工業大学
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