セラミック絶縁層形青色発光La_2O_3:Bi無機薄膜EL素子(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)

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概要

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• La_2O_3:Bi蛍光体薄膜とBaTiO_3セラミックシートを使用した新しい青色発光薄膜EL素子を開発した。ZnS電子加速層を挿入したもしくは挿入しない二種類のセラミック絶縁層形薄膜EL素子を作製した。Bi含有量が約2.5at.%で、基板温度約250℃で成膜した後に約1000℃で熱処理を施して作製されたLa_2O_3:Bi薄膜とZnS薄膜を積層した構造を有する薄膜EL素子を1[kHz]の正弦波交流電圧で駆動した場合に、最高発光輝度46.9cd/m^2が得られた。この素子はCIE色度座標値(x=0.17,y=0.27)に相当する青色ELを呈した。

• 2009-01-29

著者

• 深田 晴己

  金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター

• 宮田 俊弘

  金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター

• 南 内嗣

  金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター

• 上田 幸平

  金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター

• 松井 俊

  金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター

• 深田 晴己

  金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター

• 南 内嗣

  金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター

• 宮田 俊弘

  金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター

• 松井 俊

  金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター

• 上田 幸平

  金沢工大 光電相互変換デバイスシステム研究開発セ

• 上田 幸平

  金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター

• 宮田 俊弘

  金沢工業大学

• 深田 晴己

  金沢工業大学

• 南 内嗣

  金沢工業大学

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