高輝度Zn_2Si_<1-x>Ge_xO_4 : Mn酸化物薄膜EL素子
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概要
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高周波マグネトロンスパッタ法によって作製した多元系酸化物蛍光体であるZn_2Si_<1-x>Ge_xO_4 : Mn薄膜を発光層として用いるBaTiO_3セラミックス絶縁形薄膜EL素子を作製し、母体材料の組成等の作製条件を変化させてEL特性を調べた。Ge混入量x=0.25、0.3および0.5のZn_2Si_<1-x>Ge_xO_4 : Mn薄膜発光層を用いるEL素子では、1kHz正弦波交流電圧駆動において、最高発光輝度4220cd/m^2、最高発光効率2.53lm/Wおよび最低発光開始電圧50Vをそれぞれ実現できた。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1998-10-23
著者
-
宮田 俊弘
金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
南 内嗣
金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
南 内嗣
金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
宮田 俊弘
金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
久保田 佳寛
金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
-
宮田 俊弘
金沢工業大学
-
南 内嗣
金沢工業大学
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