セラミック絶縁形酸化物蛍光体薄膜ELデバイスのEL特性の駆動周波数依存性
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概要
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スパッタ法もしくはディップ法によって作製した各種酸化物蛍光体薄膜を発光層として用いるBaTiO_3セラミックス絶縁形薄膜EL素子を作製し, 正弦波交流駆動周波数を変化させてEL特性を調べた。輝度、発光閾値電圧および輝度の印加電圧に対する立ち上がり等のEL特性は、駆動周波数を60Hzから10kHzに増加させるにつれて大きく改善された。10kHz駆動において、1000cd/m^2以上の緑色発光および300cd/m^2以上の赤色発光がZnGa_2O_4:Mn、Ga_2O_3:Mn薄膜およびGa_2O_3:Cr薄膜をそれぞれ発光層に用いたEL素子において、141V以下の印加電圧で実現できた。加えて、封止処理を一切していない素子を用いる経時安定性評価では、10kHz駆動時において3000時間以上安定に動作することを確認できた。
- 1998-01-22
著者
-
宮田 俊弘
金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
南 内嗣
金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
南 内嗣
金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
宮田 俊弘
金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
久保田 佳寛
金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
-
宮田 俊弘
金沢工業大学
-
南 内嗣
金沢工業大学
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