マグネトロンスパッタ法で作製したZnO系透明導電膜の電気的特性に対するバッファレイヤー挿入効果(材料デバイスサマーミーティング)
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概要
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直流マグネトロンスパッタ法を用いて作製するZnO系透明導電膜の基板上での抵抗率分布の改善及び低抵抗率化を目的として、極めて薄いZnO系透明導電膜をバッファ層として用いる新規なマグネトロンスパッタ成膜技術を開発した。バッファ層である極薄ZnO系透明導電膜は、低抵抗率ZnO系透明導電膜を作製するために通常用いられる焼結体ターゲットの表面を強く酸化した状態でスパッタして作製された。基板温度200℃において膜厚10nmバッファ層を挿入した総膜厚150nmのGZO及びAZO薄膜において、約3×10^<-4>Ωcmの低抵抗率かつ抵抗率分布の大幅な低減を実現できた
- 2011-06-23
著者
-
宮田 俊弘
金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
南 内嗣
金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
南 内嗣
金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
宮田 俊弘
金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
野本 淳一
金沢工大 光電相互変換デバイスシステム研究開発セ
-
宮田 俊弘
金沢工大o.e.d.s.r&dセンター
-
南 内嗣
金沢工大o.e.d.s.r&dセンター
-
野本 淳一
金沢工大o.e.d.s.r&dセンター
-
平野 友康
金沢工大O.E.D.S. R&Dセンター
-
平野 友康
金沢工大o.e.d.s.r&dセンター
-
南 内嗣
金沢工大o. E. D. S. R&dセンター
-
宮田 俊弘
金沢工大o. E. D. S. R&dセンター
-
野本 淳一
金沢工大O.E.D.S. R&Dセンター
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