南 内嗣 | 金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
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概要
関連著者
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南 内嗣
金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
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南 内嗣
金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
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宮田 俊弘
金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
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宮田 俊弘
金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
宮田 俊弘
金沢工業大学
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南 内嗣
金沢工業大学
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深田 晴己
金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
深田 晴己
金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
深田 晴己
金沢工業大学
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久保田 佳寛
金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
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鈴木 康之
金沢工業大学 O. E. デバイスシステムr&dセンター
-
野本 淳一
金沢工大 光電相互変換デバイスシステム研究開発セ
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高田 新三
金沢工業大学
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中谷 敏邦
金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
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高田 新三
金沢工業大学 電子デパイスシ
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松井 俊
金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
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小林 洋平
金沢工業大学o.e. デバイスシステムr&dセンター
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望月 優
金沢工業大学0.E.デバイスシステムR&Dセンター
-
松井 俊
金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
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望月 優
金沢工業大学 O.e.デバイスシステムr&dセンター
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宮田 俊弘
金沢工大o.e.d.s.r&dセンター
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南 内嗣
金沢工大o.e.d.s.r&dセンター
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野本 淳一
金沢工大o.e.d.s.r&dセンター
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平野 友康
金沢工大O.E.D.S. R&Dセンター
-
平野 友康
金沢工大o.e.d.s.r&dセンター
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南 内嗣
金沢工大o. E. D. S. R&dセンター
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宮田 俊弘
金沢工大o. E. D. S. R&dセンター
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野本 淳一
金沢工大O.E.D.S. R&Dセンター
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佐原 啓一
金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
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山田 寛之
金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
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山田 寛之
金沢工業大学 電子デバイスシステム研究所
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佐原 啓一
金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
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伊原 一彦
金沢工業大学O. E. デバイスシステムR&Dセンター
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伊原 一彦
金沢工業大学o.e.デバイスシステムr&dセンター
-
伊原 一彦
金沢工業大学O. E. デバイスシステムR&Dセンター
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石野 淳一
金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
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上田 幸平
金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
野本 淳一
金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
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小長井 学
金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
黒井 芳啓
金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
-
塚田 悟史
金沢工業大学O.E.デバイスシステムR&Dセンター
-
石野 淳一
金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
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小長井 学
金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
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上田 幸平
金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
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塚田 悟史
金沢工業大学 O.e.デバイスシステムr&dセンター
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黒井 芳啓
金沢工業大学 電子デパイスシステム研究所
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西 祐希
金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
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野口 雄介
金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
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西 祐希
金沢工業大学
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山崎 正志
O.e. デバイスシステムr&dセンター、金沢工業大学
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三上 明義
金沢工業大学光電磁場科学応用研究所
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鈴木 信吾
金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
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白井 徹也
金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
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山崎 正志
金沢工業大学O.E.デバイスシステムR&Dセンター
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三上 明義
金沢工業大学
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小長井 学
金沢工大 光電相互変換デバイスシステム研究開発セ
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白井 徹也
O.e. デバイスシステムr&dセンター、金沢工業大学
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靱 哲治
金沢工業大学o.e.デバイスシステムr&dセンター
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上田 幸平
金沢工大 光電相互変換デバイスシステム研究開発セ
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福田 一郎
金沢工業大学O.EデバイスシステムR&Dセンター
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福田 一郎
金沢工業大学
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山西 正道
広島大学
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山西 正道
広島大学工学部電子物性
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御子柴 宣夫
東北大通研
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前野 隆則
金沢工大
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前野 隆則
金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
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笠井 勉
金沢工大
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笠井 勉
金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
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北村 謙太郎
金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
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岩本 淳
金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
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東條 智
金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
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南野 洋平
金沢工業大学O. E. デバイスシステムR&Dセンター
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福田 一郎
金沢工大
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坂上 義幸
金沢工業大学 電子デバイスシステム研究所
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三上 明義
金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
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靭 哲治
金沢工業大学
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靱 哲治
金沢工業大学O.E.デバイスシステムR&Dセンター
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南野 洋平
金沢工業大学o.e.デバイスシステムr&dセンター
-
三上 明義
金沢工業大学大学院工学研究科
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南野 洋平
金沢工業大学O. E. デバイスシステムR&Dセンター
著作論文
- 曲げられるサファイアシートを用いるシースルー無機薄膜ELランプ(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- セラミック絶縁層形青色発光La_2O_3:Bi無機薄膜EL素子(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- マグネトロンスパッタリング法によるLCD透明電極用不純物添加ZnO系透明導電膜の作製(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 曲げられるサファイアシートを用いるシースルー無機薄膜ELランプ(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- セラミック絶縁層形青色発光La_2O_3:Bi無機薄膜EL素子(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 曲げられるシースルー無機薄膜EL素子の作製(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 青色発光Bi付活La_2O_3ベース多元系酸化物蛍光体薄膜EL素子の作製(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 曲げられるシースルー無機薄膜EL素子の作製
- 青色発光Bi付活La_2O_3ベース多元系酸化物蛍光体薄膜EL素子の作製
- セラミック絶縁層形韓化物蛍光体薄膜EL素子の経時特性
- セラミック絶縁層形薄膜EL素子の高周波駆動時における動作特性
- ディップコート法で作製した多色発光Ga2O3蛍光体薄膜のEL特性
- セラミック絶縁層形酸化物蛍光体薄膜EL素子の経時特性
- セラミック絶縁層形薄膜EL素子の高周波駆動時における動作特性
- ディップコート法で作製した多色発光Ga_2O_3蛍光体薄膜のEL特性
- マグネトロンスパッタ法で作製するGa_2O_3:Mn薄膜EL素子の作製条件の最適化
- マグネトロンスパッタ法で作製するGa_2O_3:Mn薄膜EL素子の作製条件の最適化
- フルカラー薄膜ELディスプレイ用酸化物蛍光体
- フルカラー薄膜ELディスプレイ用酸化物蛍光体
- 高輝度緑色発光ZnGa_2O_4 : Mn TFEL素子
- セラミックス絶縁層を用いた高輝度緑色発光Zn_2SiO_4 : Mn薄膜EL素子
- 蛍光体セラミックスを用いた直流駆動EL素子の特性
- 絶縁層としてBaTiO_3セラミックを用いた発音形ZnS:Mn薄膜EL素子 : 発光型ディスプレイ話題別研究会 : 情報ディスプレイ(発光型ディスプレイ特集)
- EL素子作製プロセスへのECR水素プラズマを用いたRIEの応用 : 発光型ディスプレイ話題別研究会 : 情報ディスプレイ(発光型ディスプレイ特集)
- 薄膜形と分散形とを組み合わせた各種ハイブリッド形EL素子 : 発光型ディスプレイ話題別研究会 : 情報ディスプレイ(発光型ディスプレイ特集)
- BaOベース多元系酸化物蛍光体薄膜の開発とEL素子への応用
- 曲げられる無機薄膜EL素子
- BaOベース多元系酸化物蛍光体薄膜の開発とEL素子への応用(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 曲げられる無機薄膜EL素子(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- スパッタ・コンビナトリアル成膜法による蛍光体薄膜の作製及び薄膜EL素子への応用
- パルスレーザー蒸着法による高輝度赤色発光(Ga_2O_3)_-(SnO_2)_X:Eu薄膜EL素子の作製
- ZnO系代替材料の優位性と問題点
- ZnO系透明導電膜の特徴と成膜技術
- ZnO系透明導電膜研究開発の現状と展望
- 透明電極用酸化物導電膜
- ELディスプレイ
- SID'98国際シンポジウム報告 : Emissive Display : EL, OLED, Phosphor
- SID'98国際シンポジウム報告:Emissive Display : EL, OLED, Phosphor
- マグネトロンスパッタリング法によるLCD透明電極用不純物添加ZnO系透明導電膜の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- マグネトロンスパッタリング法によるLCD透明電極用不純物添加ZnO系透明導電膜の作製
- セラミック絶縁層形青色発光La_2O_3:Bi無機薄膜EL素子
- 曲げられるサファイアシートを用いるシースルー無機薄膜ELランプ
- BaOベース多元系酸化物蛍光体薄膜の開発とEL素子への応用
- 曲げられる無機薄膜EL素子
- 各種成膜法により作製した高輝度Zn(Ga_AL_X)_2O_4 : Mn酸化物薄膜EL素子(映像入出力および一般)
- 各種成膜法により作製した高輝度Zn(Ga_1-xAl_x)_2O_4 : Mn酸化物薄膜EL素子
- セラミック絶縁形酸化物蛍光体薄膜ELデバイスのEL特性の駆動周波数依存性
- セラミック絶縁形酸化物蛍光体薄膜ELデバイスのEL特性の駆動周波数依存性
- CaO-Ga_2O_3系酸化物蛍光体を発光層に用いる薄膜EL素子
- CaO-Ca_2O_3系酸化物蛍光体を発光層に用いる薄膜EL素子
- Ga_2O_3蛍光体を発光層に用いる薄膜EL素子
- 3-17 反転分布状態にある半導体における共鳴ブリルアン散乱の理論 : LinearおよびNonlinear Photoelasticity(一般講演)
- ((Y_2O_3)_-(Ga_2O_3)_x):Mn多元系蛍光体薄膜のEL特性(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- ((Y_2O_3)_-(Ga_2O_3)_X):Mn多元系蛍光体薄膜のEL特性
- ((Y_2O_3)_-(Ga_2O_3)_x):Mn多元系蛍光体薄膜のEL特性
- 高輝度((Y_2O_3)_-(Gd_2O_3)_X) : Mn多元系酸化物薄膜EL素子(映像入出力および一般)
- スパッタ法で作製した((Y_2O_3)_-(GeO_2)_) : Mn酸化物薄膜EL素子(映像入出力および一般)
- 高輝度((Y_2O_3)_1-x-(Gd_2O_3)_x) : Mn多元系酸化物薄膜EL素子
- スパッタ法で作製した((Y_2O_3)_0.6-(GeO_2)_0.4) : Mn酸化物薄膜EL素子
- MnとCrを共添加した酸化ガリウム蛍光体を用いる薄膜ELデバイス
- 高輝度Zn_2Si_Ge_xO_4 : Mn酸化物薄膜EL素子
- Mn付活Ga_2O_3-GeO_2多元系酸化物蛍光体薄膜EL素子
- 高輝度Zn_2Si_Ge_xO_4:Mn酸化物薄膜EL素子
- MnとCrを共添加した酸化ガリウム蛍光体を用いる薄膜ELデバイス
- Mn添加Y_2O_3系酸化物薄膜EL素子の発光効率への駆動周波数の影響
- Eu添加Ga_2O_3-SnO_2多元系酸化物薄膜蛍光体のEL素子への応用
- Mn添加Y_2O_3系酸化物薄膜EL素子の発光効率への駆動周波数の影響
- Eu添加Ga_20_3-SnO_2多元系酸化物薄膜蛍光体のEL素子への応用
- Mn添加Y_2O_3系酸化物薄膜EL素子の発光効率への駆動周波数の影響(発行型/非発行型ディスプレイ合同研究会)
- Eu添加Ga_2O_3-SnO_2多元系酸化物薄膜蛍光体のEL素子への応用(発行型/非発行型ディスプレイ合同研究会)
- Biと希土類元素を共添加したバナデートベース酸化物蛍光体薄膜のPL及びEL特性(材料デバイスサマーミーティング)
- Biと希土類元素を共添加したバナデートベース酸化物蛍光体薄膜のPL及びEL特性(材料デバイスサマーミーティング)
- Biと希土類元素を共添加したバナデートベース酸化物蛍光体薄膜のPL及びEL特性(材料デバイスサマーミーティング)
- マグネトロンスパッタ法による薄膜太陽電池用AZO透明導電膜の作製(材料デバイスサマーミーティング)
- マグネトロンスパッタ法による薄膜太陽電池用AZO透明導電膜の作製(材料デバイスサマーミーティング)
- マグネトロンスパッタ法による薄膜太陽電池用AZO透明導電膜の作製(材料デバイスサマーミーティング)
- マグネトロンスパッタ法で作製したZnO系透明導電膜の電気的特性に対するバッファレイヤー挿入効果(材料デバイスサマーミーティング)
- マグネトロンスパッタ法で作製したZnO系透明導電膜の電気的特性に対するバッファレイヤー挿入効果(材料デバイスサマーミーティング)
- 高効率ZnO/Cu_2Oヘテロ接合太陽電池の作製(材料デバイスサマーミーティング)
- 高効率ZnO/Cu_2Oヘテロ接合太陽電池の作製(材料デバイスサマーミーティング)
- 高効率ZnO/Cu_2Oヘテロ接合太陽電池の作製(材料デバイスサマーミーティング)
- マグネトロンスパッタ法で作製したZnO系透明導電膜の電気的特性に対するバッファレイヤー挿入効果(材料デバイスサマーミーティング)