中谷 敏邦 | 金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
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概要
関連著者
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中谷 敏邦
金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
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南 内嗣
金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
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宮田 俊弘
金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
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宮田 俊弘
金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
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南 内嗣
金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
宮田 俊弘
金沢工業大学
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鈴木 信吾
金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
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白井 徹也
O.e. デバイスシステムr&dセンター、金沢工業大学
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三上 明義
金沢工業大学光電磁場科学応用研究所
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白井 徹也
O.E.デバイスシステムR&Dセンター
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中谷 敏邦
O.E.デバイスシステムR&Dセンター
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鈴木 信吾
O.E.デバイスシステムR&Dセンター
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宮田 俊弘
O.E.デバイスシステムR&Dセンター
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南 内嗣
O.E.デバイスシステムR&Dセンター
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白井 徹也
金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
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三上 明義
金沢工業大学
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三上 明義
金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
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三上 明義
金沢工業大学大学院工学研究科
著作論文
- Mn添加(Al_2O_3-Ga_2O_3):Mn多元系酸化物薄膜EL素子
- Mn添加(Al_2O_3-Ga_2O_3):Mn多元系酸化物薄膜EL素子
- セラミック絶縁層形韓化物蛍光体薄膜EL素子の経時特性
- セラミック絶縁層形薄膜EL素子の高周波駆動時における動作特性
- ディップコート法で作製した多色発光Ga2O3蛍光体薄膜のEL特性
- セラミック絶縁層形酸化物蛍光体薄膜EL素子の経時特性
- セラミック絶縁層形薄膜EL素子の高周波駆動時における動作特性
- ディップコート法で作製した多色発光Ga_2O_3蛍光体薄膜のEL特性
- マグネトロンスパッタ法で作製するGa_2O_3:Mn薄膜EL素子の作製条件の最適化
- マグネトロンスパッタ法で作製するGa_2O_3:Mn薄膜EL素子の作製条件の最適化