Mn添加(Al_2O_3-Ga_2O_3):Mn多元系酸化物薄膜EL素子
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概要
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ゾル-ゲル法および高周波マグネトロンスパッタリング法により作製した(Al_2O_3-Ga_2O_3):Mn薄膜EL素子のEL特性について述べる。真空プロセスが不要な簡易な成膜方法であるゾル-ゲル法によりAl_2O_3添加量30mol.%で作製した(Al_2O_3-Ga_2O_3):Mn薄膜EL素子においては、1kHz正弦波交流電圧駆動時に最高発光輝度1557cd/m^2、また高周波マグネトロンスパッタリング法においてAl_2O_3添加量20mol.%で作製した(Al_2O_3-Ga_2O_3):Mn薄膜EL素子においては、1660cd/m^2を実現できた。また、いずれの成膜方法で作製した(Al_2O_3-Ga_2O_3):Mn薄膜EL素子においても1kHz正弦波交流電圧駆動時に0.41m/W以上の発光効率を実現できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-26
著者
-
鈴木 信吾
金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
-
中谷 敏邦
金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
-
白井 徹也
O.E.デバイスシステムR&Dセンター
-
中谷 敏邦
O.E.デバイスシステムR&Dセンター
-
鈴木 信吾
O.E.デバイスシステムR&Dセンター
-
宮田 俊弘
O.E.デバイスシステムR&Dセンター
-
南 内嗣
O.E.デバイスシステムR&Dセンター
-
南 内嗣
金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
宮田 俊弘
金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
白井 徹也
O.e. デバイスシステムr&dセンター、金沢工業大学
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