マグネトロンスパッタ法で作製するGa_2O_3:Mn薄膜EL素子の作製条件の最適化
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概要
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高周波マグネトロンスパッタリング法によって作製したGa_2O_3:Mn酸化物蛍光体薄膜を発光層として用いるBaTiO_3セラミックス絶縁形薄膜EL素子を作製し、成膜時の基板温度、アニール処理条件および発光中心としてのMn添加量等の素子作製条件の最適化について詳細に検討した。基板温度が300℃以下で作製したGa_2O_3薄膜はアモルファスであったが、350℃以上で作製した膜は未処理膜でも結晶化し、β-Ga_2O_3からのX線回折ピークが観測された。基板温度365℃で作製したGa_2O_3薄膜(未処理膜)を用いる薄膜EL素子において、1kHz正弦波交流電圧駆動時に7.54cd/m^2の緑色発光を実現できた。また、基板温度390℃、Mn添加量0.5at%で成膜後、1020℃でアニール処理したGa_2O_3:Mn薄膜EL素子において、1kHzおよび60Hz駆動時において627および167cd/m^2の高輝度緑色発光を実現できた。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1999-07-09
著者
-
宮田 俊弘
金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
南 内嗣
金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
中谷 敏邦
金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
-
南 内嗣
金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
宮田 俊弘
金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
宮田 俊弘
金沢工業大学
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