ディップコート法で作製した多色発光Ga_2O_3蛍光体薄膜のEL特性

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概要

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簡易な成膜技術であるディップコート法を用いて遷移金属元素または希土類元素を添加したGa_2O_3蛍光体薄膜を作製し、それを発光層に用いるBaTiO_3セラミック絶縁形薄膜EL素子のEL特性について検討した。その結果、Ga_2O_3蛍光体を母体材料とし、発光中心に遷移金属元素であるCr、CoおよびMnまたはSnを用いた薄膜EL素子において、それぞれ赤色、緑色および青色発光を実現し、また希土類元素であるSm、Nd、Eu、Dy、Er、Ho、CeまたはPrを用いた薄膜EL素子で多色発光を実現できた。中でもGa_2O_3蛍光体にMn、CrおよびEuを添加した薄膜EL素子において、それぞれ1kHz正弦波交流電圧駆動で1018[cd / m^2]の緑色、375および309[cd / m^2]の赤色の高輝度発光が実現できた。
社団法人電子情報通信学会の論文
2000-01-27

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