セラミック絶縁層形薄膜EL素子の高周波駆動時における動作特性
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概要
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スパッタ法もしくはディップ法によって作製したGa_2O_3:Mn及びZnG_2O_4:Mn酸化物蛍光体薄膜を発光層として用いるBaTiO_3セラミック絶縁層形薄膜EL素子を作製し、高周波駆動時における動作特性について検討した。正弦波交流電圧駆動において、輝度、発光閾値電圧および輝度の印加電圧に対する立ち上がり等のEL特性は、駆動用波数を60Hzから10kHzに増加させるにつれて大きく改善された.10kHz駆動において、120V以下の印加電圧で、1000cd/m^2以上の緑色発光がGa2O3:Mn及びZnGa2O4:Mn薄膜を発光層に用いたEL素子において実現できた。一方、パルス電圧駆動時においては、EL特性は駆動周波故にほとんど依存しなかった。正弦波交流電圧駆動における高周波駆動時のEL特性の改善は主として発光層と絶縁層の誘電緩和時間によって説明される。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2000-01-27
著者
-
宮田 俊弘
金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
南 内嗣
金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
三上 明義
金沢工業大学光電磁場科学応用研究所
-
中谷 敏邦
金沢工業大学電子デバイスシステム研究所
-
南 内嗣
金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
宮田 俊弘
金沢工業大学 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター
-
三上 明義
金沢工業大学
-
三上 明義
金沢工業大学大学院工学研究科
-
宮田 俊弘
金沢工業大学
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