鉄拡散を用いたGaAs pnp構造の電荷蓄積特性
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概要
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ガリウムひ素結晶中での鉄のエネルギー準位の特徴を利用して, pnp形のメモリ素子を試作した. 深いアクセプタ準位はn形層の選択的補償反転に利用でき, かつ, 形成されたpn接合の漏れ電流値はGaAsダイオードにおける最小レベルである. pnp構造に一時的にバイアスを印加すると, 表面p形層内の抵抗値が1けた以上変化すること, および, 光照射によって回復することを確認した. 蓄積電荷によって両側のp形層へと空乏層が伸びるためと考えられる. 電荷蓄積時間は83秒であった.
- 1997-10-25
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