454℃まで動作するシリコンIILとその応用回路開発
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概要
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当研究室では、高温で動作するIC(IIL)を開発するためにまず、pn接合の高温時における特性を検討した。これをもとにIILを設計し、低温エピタキシャル成長とイオン打ち込み装置を用いた独自開発プロセスで試作したリングオシレータICは25〜454℃まで正常に動作した。また、この高温IILで試作したDFF、TFF、SRAM回路は25〜250℃まで正常動作した。IIL、高温IC、pn接合、エピタキシャル成長、イオン打ち込み装置
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-21
著者
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