Al高温スパッタ法により形成される生成物と配線信頼性への影響

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概要

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高温スパッタAl合金メタライゼーションを用いて形成したTiN, Al合金/TiN積層配線のエレクトロマイグレーション特性を調査した。Al合金膜の形成はAlSiCu膜の高温スパッタ堆積前に、Tiウエッテイング層を用いる方法と用いない方法とで行なった。その結果、Ti層を用いるとEM耐性は著しく向上することが分かった。また、Ti層とAlSiCu膜との界面反応により、巨大Si析出物の代わりに導電性のAl-Ti-Si3元系の反応生成物が形成されていることが分かった。これにより配線中の局部的な温度上昇が避けられ、生成物層が電流バイパスとして有効に作用するものと考えられる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-01-28

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