Al合金/Ti構造における下地絶縁膜表面粗さのAl配向性への影響
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概要
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Al合金/Ti積層構造における下地絶縁膜表面粗さが, 上層のAl合金の結晶配向性に与える影響について評価した. CMP(Chemical Mechanical Polishing)により表面が平坦化された絶縁膜上にAl合金を堆積すると, 膜の表面平滑度と結晶高配向が向上する. この効果は, 特にAl合金を高温で堆積する場合に顕著である. 表面が平清な絶縁膜上に, 高温スパッタで形成されたAl合金/Ti積層構造配線は, 非常に優れたEM耐性を有する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-24
著者
-
橋本 圭市
沖電気工業(株) 超lsi研究開発センター
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橋本 圭市
沖電気工業
-
鉄田 博
沖電気工業株式会社生産センタ
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〓田 博
沖電気工業株式会社 生産センタ
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おの田 博
沖電気工業
-
成田 匡
沖電気工業(株)超lsi研究開発センター
-
戸内 謙信
沖電気工業(株)
-
戸内 謙信
沖電気工業(株)超lsi研究開発センター
-
成田 匡
沖電気工業(株)
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