a-Si/Ti ローカル配線での相互拡散, 寄生容量低減の解析
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概要
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ドーパントの相互拡散, 及び, 寄生容量低減の観点からa-Si/Ti方式ローカル配線の解析を行った. TiSi_2でN^+/P接合とP^+/N接合をつなぐと, P^+/N接合でのみ接合リーク電流が増大することが解った. 電気的な測定より, これは, ボロンがTiSi_2中で不動化しSiへの拡散が起こらないためと推定される. このローカル配線方式を実際の回路マクロである54bitx2Kの2ポートSRAMに適用し, 寄生容量の削減効果を調べた. マクロサイズは, 31%小さくなり, 消費電力は15.2%小さくなることが解った. さらに, この方式の特徴である接合容量の低減により, 低電源電圧下で消費電力削減効果が大きいことを実証した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-24
著者
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井田 次郎
沖電気工業株式会社
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井田 次郎
沖電気工業 超lsi研究開発センター
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鉄田 博
沖電気工業株式会社生産センタ
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〓田 博
沖電気工業株式会社 生産センタ
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おの田 博
沖電気工業
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大友 篤
沖電気工業 超lsi研究開発センター
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森川 剛一
沖電気工業 超LSI研究開発センター
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