Ti密着層を用いたAl-Si-Cu埋め込みヴィアのエレクトロマイグレーション

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概要

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Tiを密着層としたAl-Si-Cu埋め込みヴィアホールにおけるエレクトロマイグレーション特性をWプラグの場合と比較して調べた。Wプラグのヴィアチェーンにおいてはヴィア部でのAlの移動が妨げられるため、全てのヴィア部においてボイドが発生するが、Al-Si-Cu埋め込みヴィアでは、ボイドは配線内の1-2ヵ所に形成されるのみであった。また、Al-Si-Cu埋め込みヴィアチェーンでは寿命がヴィア間隔に依存しないこともわかった。このことから、Tiを密着層として成膜しているにも拘わらず、エレクトロマイグレーション時にAlがヴィア部を通って移動したものと考えられる。埋め込みにSiを含まないAl-Cu合金を用いるとヴィア部でのAlの移動が妨げられる。これらの結果からAl-Si-Cu埋め込み時にヴィア底部のTiがAl-Ti-Si合金となり、エレクトロマイグレーション時にはこの合金層を通ってAlが移動するものと考えられる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1998-01-23

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