Cu/Ti/TiN/Ti構造を有するダマシン配線のエレクトロマイグレーション耐性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Cu、TiN間へTi層を挿入し、ダマシン配線の抵抗とエレクトロマイグレーション(EM)耐性への影響を検討した。Cu、Ti間の反応、およびCu中へのTi拡散のために、熱処理後の配線抵抗は上昇する。しかしながら、挿入Ti膜厚を薄膜化し、大気曝露処理を施すことで、配線抵抗の上昇を低減できることがわかった。また、Ti層の挿入によりCuの下地に対する濡れ性が改善されることを明らかにした。Cuの濡れ性改善によるCuと下地メタル界面の安定化により、Cuダマシン配線のEM寿命が1ケタ以上向上した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-13
著者
-
鉄田 博
沖電気工業株式会社生産センタ
-
〓田 博
沖電気工業株式会社 生産センタ
-
おの田 博
沖電気工業
-
時藤 俊一
沖電気工業超LSI研究開発センタ
-
阿部 一英
沖電気工業(株)
-
阿部 一英
沖電気工業株式会社生産センタ
-
時藤 俊一
沖電気工業株式会社生産センタ
関連論文
- Si/CaF2/Si積層SOI構造へのCMOSデバイスの形成
- CVD酸化膜の吸湿過程と水の脱離機構
- Cu/バリアメタル構造におけるCu膜配向性の評価
- Al合金/Ti積層構造における下地絶縁膜表面粗さのAl合金膜特性への影響
- Ti密着層を用いたAl-Si-Cu埋め込みヴィアのエレクトロマイグレーション
- Al合金/Ti構造における下地絶縁膜表面粗さのAl配向性への影響
- 低誘電率SiOF膜の0.35μmCMOSへの適用
- アルミ積層配線のエレクトロマイグレーション : TiNを上層に有する積層配線の信頼性
- Al高温スパッタ法により形成される生成物と配線信頼性への影響
- Cu/Ti/TiN/Ti構造を有するダマシン配線のエレクトロマイグレーション耐性
- a-Si/Ti ローカル配線での相互拡散, 寄生容量低減の解析
- a-Si/Ti ローカル配線での相互拡散, 寄生容量低減の解析
- EM加速試験におけるAl配線抵抗増加特性
- 多層配線における埋め込みヴィアホール形成技術
- スパッタCuリフロー法による溝埋込み配線形成
- Cu/Ti/TiN/Ti積層構造を有する高信頼性Cuダマシン配線 (SPA特集) -- (SPAをささえる個別技術)