スパッタCuリフロー法による溝埋込み配線形成
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概要
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本論文では,従来技術であるスパッタ法とリフローを用いてCu配線の形成を検討した.その結果,W,Mo,TiN膜のような下地を用いることにより,450℃の低い温度でCu膜をリフローさせることが可能になった.Cuの埋込み性の優れている下地膜上ではCu膜は容易に擬集しやすく,埋込み性と擬集は密接な関係があると考えられる.このCu膜の擬集は下地とのぬれ性に影響されており,埋込み性を向上させるためにはCuのぬれ性の悪い下地を用いる必要がある.ぬれ性は下地材料の種類により決定されるだけでなく,下地の表面粗さにも影響される.また,リフローによるCuの溝埋込みを行ったサンプルにCMPを行い,0.6μm幅に至るまでのCu配線を形成できた.Cu配線の比抵抗は,Alの約2/3の1.9μΩ・cmが得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-25
著者
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