「Si ULSIにおけるGHzクロック分配回路」 : RC分布定数線路と伝送線路の比較(<特集> : 低誘電率層間膜及び配線技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
LSIのcmオーダーのグローバル配線において、GHzクロック信号を伝送しようとした場合、本来は伝送線路を用いるべきであるが、これまでそのような長い配線にはCMOSリピータを挿入することで配線を分割し、RC分布定数線路として扱ってきた。しかしながらこの方法では、リピータによる占有面積と消費電力が増加するという問題がある。本論文は従来のCMOSドライバ・リピータ・レシーバとRC分布定数路線の組み合わせと、差動増幅回路とペア線の伝送線路の組み合わせにおいて、GHz信号伝送のSPICEシミュレーションを行い、両方の回路の消費電力と遅延時間の比較を行った。その結果より、グローバル配線でGHz信号伝送する場合には伝送線路の方がより適切であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-11-09
著者
関連論文
- 携帯電話開発のための統合シミュレーション環境の構築
- C-2-57 CMOS RFパワーアンプにおけるプロセス世代依存性(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-2-14 CMOSインバータ型広帯域可変利得増幅器の検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-12-64 WLP技術を用いた低雑音増幅器の検討(C-12. 集積回路C(増幅回路),一般セッション)
- 集積化MEMSの展望(センサーデバイス,MEMS,一般)
- RF CMOS集積回路 : Reconfigurability and Scalability(招待講演,技術展示,リコンフィギャブルハードウェア,10周年記念イベント)
- 次世代システムLSIを支えるスーパーコネクト伝送線路技術
- 次世代システムLSIを支えるスーパーコネクト伝送線路技術(パネルディスカッション)
- 三次元LSIチップ間配線技術
- CMOS集積回路とMEMSの融合 (特集 エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術--2020年を見据えて)
- オンチップRF可変インダクタの開発
- C-10-14 口腔内pHモニタリングのためのISFET特性の基礎検討(C-10.電子デバイス,一般講演)
- ウェーハレベルパッケージ技術による高周波インダクタの開発と回路応用(先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文)
- 6.CMOS集積回路とMEMSの融合(エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術-2020年を見据えて-)
- C-12-17 2.8-11GHz広帯域差動リング型電圧制御発振器(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-13 CMOSインバータ型高利得広帯域RF可変増幅回路の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-3 インジェクションロックを用いたCMOS QPSK RF信号発生回路の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-2 デジタルベーススケーラブルQPSK RF変調回路(C-12.集積回路,一般セッション)
- 次世代システムLSIを支えるスーパーコネクト伝送線路技術(パネルディスカッション)
- 次世代システムLSIを支えるスーパーコネクト伝送線路技術
- 次世代システムLSIを支えるスーパーコネクト伝送線路技術
- 次世代システムLSIを支えるスーパーコネクト伝送線路技術
- C-12-17 CMOSインバータ型広帯域可変利得増幅器の評価(増幅器,C-12.集積回路,一般セッション)
- A-1-42 ISFETを用いたワイヤレスpHセンサモジュール(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- 二つのキャパシタと1本の電源配線で構成した電磁放射低減電源デカップリング回路のQFPパッケージLSIへの適用(電磁環境・EMC)
- C-12-59 オンチップRC配線と伝送線路による高速デジタル信号伝送特性の比較(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-58 クロックドインバータ型D-FFによるMUX/DEMUXの研究(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-12 Wide-Band, Linear Low Noise Amplifier Design
- CT-1-3 アナログCMOS集積回路とMEMSの融合(チュートリアルセッション,CT-1.More than Mooreを実現するMEMS融合LSI技術,ソサイエティ企画)
- C-12-53 キャパシティブプリエンファシス技術を導入したオンチップRC伝送回路と伝送線路回路の比較(オンチップ・インターフェイス,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-52 高速オンチップシリアル伝送用4:1 MUX回路の検討(オンチップ・インターフェイス,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-25 CMOSリング型I/Q出力電圧制御発振器の広帯域化に関する検討(RF(2),C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-23 スケーラブル広帯域RF QPSK変調回路の検討(RF(1),C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-22 Time To Analog Converterを用いたスケーラブルCMOS RF信号発生回路の検討(RF(1),C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-16 CMOSインバータ回路をベースとしたインダクタレス広帯域RF CMOS低雑音増幅回路(増幅器,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-8 低電力・小面積CMOS擬似ランダムパターンデータ発生回路(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-53 伝送線路配線を用いたオンチップネットワークのための低消費電力1:4デマルチプレクサ(C-12. 集積回路C(ワイヤライン),一般セッション)
- D-10-16 統計的タイミング情報に基づく適応型テスト(D-10. ディペンダブルコンピューティング,一般セッション)
- D-10-17 適応型テストにおけるクリティカルパスのクラスタリング手法(D-10. ディペンダブルコンピューティング,一般セッション)
- A-3-2 論理セル遅延の電圧・プロセスばらつき感度の検討(A-3.VLSI設計技術,一般セッション)
- C-12-41 抵抗測定法によるトランジスタアレイ回路の測定時間短縮化(C-12.集積回路,一般セッション)
- A-3-14 リーク電流測定用トランジスタアレイ回路の測定(A-3. VLSI設計技術,一般セッション)
- A-1-8 大域ばらつきの近似次数が回路遅延ばらつきに与える影響(A-1.回路とシステム,一般講演)
- C-12-37 差動インダクタの信号励起モードの比較検討(C-12.集積回路C(アナログ),エレクトロニクス2)
- C-12-50 ISFETを用いたワイヤレスpHセンシング用低電力FM送信IC(無線通信,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-36 注入同期を用いた低位相雑音リングVCO型PLL(発振器・PLL,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-32 注入同期を用いたスケーラブル広帯域リング型電圧制御発振器回路(発振器・PLL,C-12.集積回路,一般セッション)
- SRAM回路の構造的対称性を考慮した2段階学習型重点的サンプリング(物理設計,システム設計及び一般)
- C-12-6 電源電圧降下の時間的・空間的広がり可視化手法(C-12.集積回路ACD,一般講演)
- A-3-19 セル間接続方向限定性とセル配置粗密性を考慮した配線長分布(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
- A-3-7 電源電圧降下の相関を用いる電源網の定量的評価(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
- A-3-23 リングオシレータを用いる瞬時電圧降下測定手法の精度改善(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
- A-3-22 MOSFETのリーク電流ばらつき測定のための回路検討(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
- A-3-12 歩留まり予測のためのビア数分布モデル(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
- A-3-10 オンチップ伝送線路を用いた将来におけるLSIの遅延時間予測手法(A-3. VLSI設計技術, 基礎・境界)
- A-3-9 配置効率を考慮したSoCのマクロ面積配分手法(A-3. VLSI設計技術, 基礎・境界)
- C-12-31 CMOSマルチリングオシレータを用いたRF信号発生回路の検討(発振器・PLL,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-29 Capacitively-Resistively Driven Wireを導入したオンチップRC伝送回路の検討(MOSモデリング・フィルタ,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-29 Si CMOS RF分布定数型増幅器の消費電力削減手法(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-34 Si RF CMOS分布定数型増幅器の設計(C-12.集積回路C(アナログ),エレクトロニクス2)
- 高性能パッシブ素子の開発と回路応用(配線・実装技術と関連材料技術)
- 高Q値WLPインダクタおよびその5.8GHz帯LC型電圧制御発振器への応用(配線・実装技術と関連材料技術)
- C-12-44 2ステップゲイン広帯域CMOS増幅ICの試作評価結果(電力増幅器・低雑音増幅器,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-15 チップ内伝送用高速低電力MUX/DEMUXの検討(センサ・有線通信,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-26 Si基板上におけるコプレーナ-ストリップ差動伝送線路の設計(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-29 RF CMOS回路の高性能化に向けたオンチップ/オフチップインダクタ特性の比較(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-33 抵抗帰還を用いたインバータ型オンチップ出力バッファの低ジッタ化設計(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-50 CMOS LC-VCOのプロセス世代依存性の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-60 インバータ構成を用いたスケーラブル広帯域RF CMOS低雑音増幅器の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- A-1-12 広帯域CMOS差動型リングVCO(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- C-12-45 RF CMOS低雑音増幅回路特性のプロセス世代依存性(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-5 プリエンファシスを用いたオンチップ伝送線路配線の実測評価(C-12.集積回路,一般セッション)
- 超球の一部を用いた歩留り推定における不良領域の効率的探索手法(製造性考慮設計,システムオンシリコンを支える設計技術)
- 重点的サンプリングにおける平均値移動量の決定手法とそのSRAM歩留り解析への適用
- C-12-30 状態依存性を考慮した論理回路の電源間容量モデルの検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-31 状態依存性解析のための電源間容量のテーブルルックアップ計算(C-12.集積回路,一般セッション)
- A-1-27 回路特性ばらつき解析に対する重点的サンプリングの適用検討(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- A-3-13 電源遮断回路におけるインバータ列遅延時間ばらつきの計算(A-3. VLSI設計技術,一般セッション)
- パワーゲーティング技術における製造ばらつきの回路特性への影響
- A-3-21 高精度デバイスばらつき測定のための電源構造の設計(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
- リコンフィギュラブルRF CMOS無線集積回路技術に向けた広帯域電圧制御発振器(集積エレクトロニクス)
- C-12-36 VCOと分周器を用いたGHz帯広帯域発振器の検討(C-12.集積回路C(アナログ),エレクトロニクス2)
- C-12-30 リコンフィギャラブルRF回路に向けた広帯域LNA(C-12. 集積回路C(アナログ), エレクトロニクス2)
- C-12-28 可変インダクタを用いた広帯域CMOS VCOの設計(C-12.集積回路C(アナログ))
- 動的再構成によるLC-VCOの広帯域化(信号解析,アルゴリズム,回路設計)
- 動的再構成によるLC-VCOの広帯域化(信号解析,アルゴリズム,回路設計)(デザインガイア2003 -VLSI設計の新しい大地を考える研究会-)
- 動的再構成によるLC-VCOの広帯域化(信号解析,アルゴリズム,回路設計)(デザインガイア2003 -VLSI設計の新しい大地を考える研究会-)
- 動的再構成によるLC-VCOの広帯域化(信号解析,アルゴリズム,回路設計)(デザインガイア2003 -VLSI設計の新しい大地を考える研究会-)
- 動的再構成によるLC-VCOの広帯域化
- C-12-14 可変インダクタを用いた広帯域電圧制御発振器
- C-12-42 CMOS論理回路における電源網容量の入力状態依存性についての検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-54 低電力オンチップパルス伝送線路配線(C-12. 集積回路C(ワイヤライン),一般セッション)
- C-12-45 WLCSP技術を利用したオンチップ伝送線路配線の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-43 オンチップ伝送線路配線における低電力パルス伝送用駆動回路(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-42 プリエンファシス技術を用いたオンチップ差動伝送線路配線の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- A-3-10 非対称Txを用いたオンチップ差動伝送線路配線におけるスケーリングの影響の検討(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
- C-12-27 90nm CMOSテクノロジーを利用した2.7mW/10GbpsオンチップLVDS型伝送線路配線(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-37 高速信号伝送に向けたCML型オンチップ差動伝送線路配線の検討(C-12.集積回路ABC,一般講演)
- WLP技術によるオンチップ受動部品の形成
- C-2-48 ウェハレベルパッケージ内蔵高性能オンチップインダクタ(C-2.マイクロ波B(受動デバイス))