スパッタ法による酸化亜鉛薄膜形成時における酸素欠損の発生
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
スパッタ法でZnO薄膜を作製した場合の酸素欠損発生の原因をイオン衝撃またはプラズマから生じる紫外光の影響の観点から調べた. イオン衝撃は、基板バイアスの実験から酸素欠損を発生させにくくすると考えられた. 紫外光によりキャリヤが励起され酸素が脱離する可能性が大きいことを示す.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-25
著者
関連論文
- 金属アルコキシドを用いた湿式化学法によるCdTe膜の形成と特性評価
- スズ添加によるシリコン固相成長促進現象
- 多結晶シリコン太陽電池の水素パッシベーション促進プロセス
- 4)カラーハードコピーの色調整におけるニューラルネットワークの応用(情報入力研究会)
- カラーハードコピーの色調整におけるニューラルネットワークの応用 : 情報入力
- プラズマレスドライエッチングによるシリコン表面処理とその応用
- 微細構造形成装置
- シリコン上へのジルコニウム酸窒化薄膜の形成と誘電特性
- 窒化酸化における窒素の導入過程と膜構造へ与える効果の検討
- フッ素及び励起窒素処理による酸化膜表面窒化プロセス(2)
- 三フッ化アセチルフロライドを用いたシリコン系材料のエッチング
- 窒化酸化における窒素の導入過程と膜構造へ与える効果の検討
- フッ素及び励起窒素処理による酸化膜表面窒化プロセス(2)
- 三フッ化アセチルフロライドを用いたシリコン系材料のエッチング
- 三フッ化アセチルフロライドを用いたシリコン系材料のエッチング
- リモートプラズマ励起CF_3COF/O_2ガスを用いたシリコン、酸化膜のエッチング
- 三フッ化塩素を用いたシリコン表面処理と光収集高効率化への応用
- シリコン窒化酸化過程の角度分解光電子分光解析
- シリコン窒化酸化過程の角度分解光電子分光解析
- シリコン窒化酸化過程の角度分解光電子分光解析
- 三ふっ化塩素を用いたシリコンのテクスチャ化と光学的評価
- 三ふっ化塩素を用いたシリコンのテクスチャ化と光学的評価
- プラズマ励起水素によるタングステン膜の形成
- 三フッ化塩素処理シリコンの表面形状と光学的評価
- フッ素及び励起窒素処理による酸化膜表面窒化プロセス
- フッ素及び励起窒素処理による酸化膜表面窒化プロセス
- フッ素及び励起窒素処理による酸化膜表面窒化プロセス
- 19-1 網膜モデルを用いたカラー画像の階層符号化
- 音声カップルデータ伝送の検討
- 励起無水フッ化水素による自然酸化膜の選択的エッチング
- 励起無水フッ化水素による自然酸化膜の選択的エッチング
- 励起無水フッ化水素による自然酸化膜の選択的エッチング
- スパッタ法による酸化亜鉛薄膜形成時における酸素欠損の発生
- スパッタ法による酸化亜鉛薄膜形成時における酸素欠損の発生
- 原子状水素照射によるシリコン表面吸着フッ素の脱離促進現象