窒化酸化における窒素の導入過程と膜構造へ与える効果の検討

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概要

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高信頼性ゲート絶縁膜として、シリコン窒化酸化膜が注目されているが、その形成過程は確定されていない。本研究では、励起窒素ガスを用いて窒化を行い、その後励起酸素ガスを用いて酸化を行うという形成過程で窒化酸化膜を作製した。その膜を角度分解型X線光電子分光分析により解析し、窒素の存在状態の解明を試みた。窒素とシリコンの結合状態は、700℃の場合N-Si_3結合が大部分を占めるが、800℃の場合N-Si_2結合とN-Si結合が存在する事が分かった。しかし、窒素濃度が減少しなかった事から強固なSi-N結合手が存在するためにシリコン窒化膜は安定してる事が分かった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2000-05-12

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