プラズマ励起水素によるタングステン膜の形成
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概要
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WF_6を原料ガスとした化学気相成長法(CVD)において、H_2ガスをプラズマ励起して供給することで、Si基板およびSiO_2基板上タングステン膜を成長することができる。成長速度の活性化エネルギーは、基板温度が350℃以上では従来の熱CVDに等しく、250℃以下では従来のプラズマCVDに等しい。成長速度は、WF_6分圧には依存せず、H_2分圧に律速される。H_2分圧が0.6Torr以下では、成長速度はH_2分圧の1, 2乗に比例し、0.6Torr以上では1乗に比例する。堆積膜の抵抗率は、基板温度を300℃以上とし、H_2を十分に供給したとき、低抵抗率になる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-04-21
著者
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