原子状水素照射によるシリコン表面吸着フッ素の脱離促進現象

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概要

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水素にはシリコン基板上のフッ素を除去する作用があり、基板前処理やフッ化物原料を用いた気相成長など半導体プロセスにおいて重要な反応系であるが、その素過程には不明な点が多い。本研究では、フッ素吸着シリコン基板に原子状水素を照射し、オージェ電子分析により残留フッ素密度の処理時間依存性を調べた。原子状水素照射開始直後は2次反応が支配的であり、フッ素被覆率の減少とともに1次反応が支配的になる。それらの1次、2次反応の活性化エネルギーとして約0.56eV、0.4eVが得られた。また、完全なフッ素の除去のためには水素供給量よりも基板温度の方が重要であることがわかった。
一般社団法人電子情報通信学会の論文
1994-04-21

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