スズ添加によるシリコン固相成長促進現象
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概要
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多結晶シリコンは,高性能薄膜トランジスタ用材料として重要であり,低温で良質な膜を形成する研究が盛んに行われている.本研究では,SiO_2上にSnドープアモルファスシリコン膜を形成後,低温でアニールし結晶化させて多結晶シリコンを得ることを試みた.固相結晶化温度はノンドープ膜では600℃であるが,10% Snドープ膜では600℃から300℃へと低温化することができた.SEMにより,グレインサイズは,約0.1μmであった.このように低温で結晶化がおころのは,Snドープにより結晶核を供給,またグレイン成長が促進されたと考えられる.
- 1996-12-06
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