シリコン上へのジルコニウム酸窒化薄膜の形成と誘電特性
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概要
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ゲート絶縁膜への応用を目的として,スパッタ法によりシリコン上にジルコニウム酸窒化薄膜を堆積し,熱処理条件を変化させて残留窒素濃度を制御した.窒素濃度が最大約24%含有していること,窒素がジルコニウムと結合していることを確認した.更に,本実験の範囲では窒素濃度が大きいほど比誘電率が大きく,最大22の値が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-01
著者
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